[实用新型]一种磷扩散硅舟有效
| 申请号： | 202121483065.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN215496651U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 江苏扬杰润奥半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 潘云峰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.一种磷扩散硅舟，其特征在于，包括：
舟本体，沿所述舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽；
所述卡槽包括间隔设置的槽一和槽二，所述槽一和槽二用于放置相背而立的硅片；
所述槽一和槽二间距设置为d，两相邻所述卡槽间距设置为D，所述D大于所述d。
2.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟，其特征在于，所述槽一与槽二的间距不大于所述硅片厚度的两倍。
3.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟，其特征在于，所述槽一和槽二的间距不小于所述硅片的厚度。
4.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟，其特征在于，两相邻所述卡槽间距不小于硅片厚度的四倍。
5.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟，其特征在于，所述舟本体上间隔开设有减重孔。
6.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟，其特征在于，所述槽一及槽二的槽口设置有圆倒角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
