[实用新型]一种低电压补偿装置有效

专利信息
申请号: 202121485044.X 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN216086160U 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 张谋龙 申请(专利权)人: 三尔梯(泉州)电气制造有限公司
主分类号: H02J3/12 分类号: H02J3/12
代理公司: 泉州凡硕知识产权代理有限公司 35257 代理人: 王鸿伟
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 补偿 装置
【说明书】:

发明涉及稳压器技术领域,具体是涉及一种低电压补偿装置,包括复数个串联连接的3N补偿器T,各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器,各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。

技术领域

本实用新型涉及稳压器领域, 具体是涉及一种低电压补偿装置。

背景技术

电力是现代工农业和现代社会生活使用的最重要的能源之一,电压变化广泛地影响各种工业用电设备,而目前各国还有大量的用户远离供电点,特别是经济落后的国家及地区,还存在严重的欠电压,值得一提的是低电压对现代工农业和现代社会生活影响最为严重,它会影响电气设备输出功率和使用寿命,会使电耗增加,产品质量下降或报废,产量减少,设备损坏,甚至被迫停产,也会对电力系统造成影响:电压越低稳定功率极限越低,功率极限与线路输出功率的差值(即功率储备)越低,越容易发生不稳定现象,甚至会造成供电系统瓦解的重大事故。低电压问题包括以下情况:

①电压偏低:运行电压值,在额定电压值的负10%范围。

②欠电压:运行电压值,在额定电压值的90%~80%范围,且持续时间大于1分钟的电压变化;

④短时欠电压:其时间范围为3秒~1分钟;

⑤暂时欠电压:其时间范围为60毫秒~3秒;

⑥三相电压不平衡:

根据用电设备的安全电压要求,用电设备端电压压差变化应在±5%,有的要求还更高,用电设备端电压压差变化应在≤2.5℅,三相电压不平衡度∑u≤3%,而目前市场上单方向稳压的只有感应式调压器,感应式器调压器虽然可靠、但响应速度慢≤每秒钟只能调压5V、效率低﹤93%、稳压精度低≥5、另外它只能同调不能三相分调。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种控制简单、不产生反峰电压、安全可靠、调压效果好的低电压补偿装置。

本实用新型的技术方案是:一种低电压补偿装置,包括复数个串联连接的3N补偿器T,各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器,各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。

进一步改进的是,还包括双向可控硅VTA1、双向可控硅VTA2、双向可控硅VTB1、双向可控硅VTB2、双向可控硅VTC1以及双向可控硅VTC2,所述初级绕组3NA1连接双向可控硅VTA1的一端,所述初级绕组3NA2连接有双向可控硅VTA2的一端,所述初级绕组3NB1连接双向可控硅VTB1的一端, 所述初级绕组3NB2连接双向可控硅VTB2的一端, 所述初级绕组3NC1连接双向可控硅VTC1的一端, 所述初级绕组3NC2连接双向可控硅VTC2的一端,所述双向可控硅VTA2的另一端连接于初级绕组3NA1,所述双向可控硅VTB2的另一端连接于初级绕组3NB1,所述双向可控硅VTC2的另一端连接于初级绕组3NC1。

进一步改进的是,还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3,所述控制保护开关QF1的两端分别连接于双向可控硅VTA1的另一端和A相输出端,所述控制保护开关QF2的两端分别连接于双向可控硅VTB1的另一端和B相输出端,所述控制保护开关QF3的两端分别连接于双向可控硅VTC1的另一端和C相输出端。

进一步改进的是,所述初级绕组3NA1和初级绕组3NA2之间连接有抑制器HFA,所述初级绕组3NB1和所述初级绕组3NB2之间连接有抑制器HFB,所述初级绕组3NC1和所述初级绕组3NC2之间连接有抑制器HFC。

进一步改进的是,所述初级绕组3NA2、初级绕组3NB2、初级绕组3NC2均连接输入N线。

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