[实用新型]一种高能电子加速器的接地结构有效
| 申请号： | 202121485255.3 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN215497123U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨光;孔祥海;张灵军;韩亚飞;魏玉成;张红梅 | 申请（专利权）人： | 金川集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01R4/66 | 分类号： | H01R4/66;H01R4/64;H05H5/02 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 甄薇薇 |
| 地址： | 737103*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高能 电子 加速器 接地 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高能电子加速器的接地结构，其特征在于，所述结构包括多个铜棒(1)、多个导体(2)，所述铜棒(1)埋入经降阻剂处理过的接地孔中，每个经降阻剂处理过的接地孔中埋入一个所述铜棒(1)，每两个所述铜棒(1)之间通过一个所述导体(2)串联连接，多个导体(2)均安装于地面之下。
2.根据权利要求1所述的高能电子加速器的接地结构，其特征在于，所述经降阻剂处理过的接地孔的数量为17-20个。
3.根据权利要求2所述的高能电子加速器的接地结构，其特征在于，所述经降阻剂处理过的接地孔的深度为2-3米。
4.根据权利要求1所述的高能电子加速器的接地结构，其特征在于，所述导体(2)为截面积大于等于25mm2的裸铜线、铝线或镀锌钢线中的一种。
5.根据权利要求1所述的高能电子加速器的接地结构，其特征在于，所述降阻剂灌入接地孔中。
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