[实用新型]一种低耗银太阳能电池片有效
| 申请号： | 202121506417.7 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN215496742U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈伟文;杨与胜;庄辉虎 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低耗 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种低耗银太阳能电池片，其特征在于：
它包括待形成背面栅线的太阳能电池片、在太阳能电池片背面的背面银浆主栅线、与背面银浆主栅对应电连接的背面铜细栅线以及包覆背面铜细栅线表面且主要由锡或铜锡合金或银制成的保护导电层。
2.根据权利要求1所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：所述背面铜细栅线的厚度在20-1000nm之间，线宽为80-300um，栅线间距为100-500um。
3.根据权利要求1所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：所述保护导电层的厚度在50-500nm之间。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：它还包括设于背面铜细栅线与保护导电层之间的高导电金属层。
5.根据权利要求4所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：所述高导电金属层为主要由化学铜或化学镍合金制成的膜层。
6.根据权利要求4所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：所述高导电金属层的厚度在0.2-1.5um之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
