[实用新型]一种降噪的5032 SMD型温补晶体振荡器基座

说明书

本实用新型涉及一种降噪的5032 SMD型温补晶体振荡器基座，该基座适用于5032 SMD型温补晶振，使用该基座研制的5032型温补晶振具有超低相位噪声。该基座改变行业内通用的选用5032晶体谐振器组装在TCXO基座上的5032TCXO结构形式。选用3225晶体谐振器安装在TCXO基座中间，且TCXO基座内部增加四根引线引至基座上的4个焊盘，用于焊接2颗滤波电容，从而对两路补偿电压进行滤波，有效降低TCXO产品的相位噪声。使用该基座研制的5032型温补晶体振荡器具有以下优点：1）超低相位噪声：‑150dBc/Hz@1kHz(20MHz产品)，2）该产品生产过程没有新增工艺过程和工序，便于大批量生产，具有极高的推广价值。

技术领域

本实用新型是一种降噪的5032 SMD型温补晶体振荡器基座，属于石英晶体振荡器技术领域。

背景技术

温度补偿晶体振荡器（TCXO）在通讯应用领域作为载波频率源使用，其产生几十兆的源频率 ，经倍频达到载波频率F0使用，广播电视的F0在几十到几百兆赫兹，北斗民用载波频率1.2~1.5GHz ；3G/4G通信领域使用载波频率3GHZ以下，如使用10M的TCXO需倍频300倍；

目前5G通讯迅猛发展，5G的载波频率达6GHz或更高，如使用10M的TCXO需倍频600倍，且5G通信对信号传输速度和精度要求更高，对TCXO的品质要求必然提高，必须使用宽工作温度范围、高频率精度、低相位噪声的频率源TCXO产品。

现有20MHz 5032TCXO产品的在1KHz处的相位噪声接近-140dBc/Hz@1kHz，为了满足5G通信的需求，必须提升温补晶振产品的相位噪声指标，设计发明了一种降噪的温补晶体振荡器基座。

发明内容

本实用新型提出的是一种降噪的温补晶体振荡器基座。针对现有20MHz 5032TCXO在1KHz处的相位噪声接近-140dBc/Hz@1kHz的缺陷，使用此基座研制生产的20MHz5032 TCXO在1KHz处的相位噪声接近-150dBc/Hz@1kHz。相位噪声提升了10dBc，完全能满足5G通讯的需要。

本实用新型的技术解决方案：一种降噪的5032 SMD型温补晶体振荡器基座，所述5032 SMD型温补晶体振荡器基座正面设有晶体谐振器焊盘1和滤波电容焊盘（2、3），通过晶体谐振器焊盘焊接固定3225晶体谐振器，通过滤波电容焊盘焊接滤波电容，芯片腔4设于基座背面。

所述滤波电容有两个，通过分别设在基座左右两端的四个滤波电容焊盘固定。

所述基座为采用4层布线熟瓷图方案的陶瓷基座，内部布有4层线，芯片的各功能脚与基座邦定，再经过基座内部4层布线将芯片和晶体谐振器连接，另外增加4根布线引出4个焊盘到基座表面，连接2颗滤波电容。

所述基座的镀层材质有金和镍两种，金的厚度为≥0.3um，镍厚度为1.27~8.89um，基座整体翘曲度＜0.05mm。

本实用新型的有益效果：

1）采用此基座研制的5032 温补晶振具有超低相位噪声。

2）没有新增工艺过程和工序，便于大批量生产。

附图说明

附图1是降噪温补晶振基座结构示意图。图中1是晶体谐振器焊盘，2、3是滤波电容焊盘，4是芯片腔。

附图2是降噪温补晶振基座内部布线示意图。

附图3是降噪温补晶振基座结构设计图。

附图4是5032 SMD型TCXO结构示意图。其中[a]是3225晶体谐振器、[b]是电容、[c]是陶瓷基座。

附图5是20MHz产品实测相位噪声图。

具体实施方式