[实用新型]一种分体式共晶焊吸嘴有效

专利信息
申请号: 202121532974.6 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN215145517U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 胡海龙;李俊锋;袁春俭;谢少波;朱轩 申请(专利权)人: 上海爵企电子科技有限公司
主分类号: B23K3/08 分类号: B23K3/08;H01L21/60
代理公司: 上海中外企专利代理事务所(特殊普通合伙) 31387 代理人: 孙益青
地址: 201802 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 体式 共晶焊吸嘴
【说明书】:

实用新型公开了一种分体式共晶焊吸嘴,包含安装座与吸嘴,安装座内部设有第一气路,吸嘴的内部设有与第一气路连通的第二气路,安装座的一端设有安装吸嘴尾部并与第一气路连通的连接孔,吸嘴头部设有吸嘴头,吸嘴头内部设有与第二气路连通的第三气路,第三气路的外端面为吸嘴孔,采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴,使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工,有效的降低了加工难度,减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题,连接孔用于密封、固定及定位吸嘴,可以有效保障吸嘴安装后的精度要求。

技术领域

本实用新型涉及共晶焊吸嘴领域,具体涉及一种分体式共晶焊吸嘴。

背景技术

在现有半导体封装工艺中,对于小功率器件中的芯片和基板通常采用导电胶粘接的方式连接在一起,但对于高频、大功率器件中的芯片与基板连接,此种粘接方式却不在适用,主要是因为导电胶热传导系数低,芯片产生的热不能有效的传导出去,对大功率器件芯片可靠性影响非常大,在此种背景下,共晶焊技术得到一定程度的推广,共晶焊是通过高热传导率的共晶材料把芯片和基板连接在一起,除此之外共晶焊接还具有电阻小、可靠性强的特点,在已有的共晶焊技术中,多芯片共晶焊技术最具代表性,提升多芯片共晶焊技术有助于提高大功率、高频器件的制造技术,适用的生产工具有助于提高生产效率,提高成品率,降低生产成本,为了适配多芯片共晶焊技术,对共晶焊吸嘴提出了更高的要求,现有共晶焊吸嘴多是一体式结构,虽然在一定程度上保证了精度,但加工工艺复杂,加工周期长,成本高,特别是硬质合金材质,不利于新产品的快速投产以及大规模推广,为解决现有生产中的问题,设计了一种适用于共晶焊的吸嘴,已解决现有的技术问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是现有共晶焊吸嘴多是一体式结构,虽然在一定程度上保证了精度,但加工工艺复杂,加工周期长,成本高,特别是硬质合金材质,不利于新产品的快速投产以及大规模推广,本实用新型提供一种分体式共晶焊吸嘴,采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴,使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工,有效的降低了加工难度,减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题,连接孔用于密封、固定及定位吸嘴,可以有效保障吸嘴安装后的精度要求,结构简单,便于使用,用以解决现有技术导致的缺陷。

为解决上述技术问题本实用新型提供以下的技术方案:

一种分体式共晶焊吸嘴,其中,包含安装座与吸嘴,所述安装座内部设有第一气路,所述吸嘴的内部设有与所述第一气路连通的第二气路,所述安装座的一端设有安装所述吸嘴尾部并与所述第一气路连通的连接孔,所述吸嘴头部设有吸嘴头,所述吸嘴头内部设有与所述第二气路连通的第三气路,所述第三气路的外端面为吸嘴孔,所述安装座上的所述第一气路可采用两端分别钻孔的方式进行加工,有效的降低了加工难度,减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述第一气路背离于所述连接孔的一端贯穿至所述安装座的尾部。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述吸嘴的尾部为插入所述连接孔的定位柱,所述定位柱与所述吸嘴头部之间设有套设于所述吸嘴外围的限位环,所述连接孔用于密封、固定及定位所述吸嘴,可以有效保障吸嘴安装后的精度要求,所述限位环用于进行限位。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述吸嘴头为正方形吸嘴头。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述吸嘴头背离于所述吸嘴的一端设有避让槽。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述吸嘴近所述吸嘴头的部分外围为斜面设置。

上述的一种分体式共晶焊吸嘴,其中,所述吸嘴内部还设有分别与所述第二气路、所述第三气路连通的第四气路。

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