[实用新型]一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器

权利要求书

1.一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，该加热器设置在单晶炉的内部，其包括石墨电阻加热器本体，其特征在于：石墨电阻加热器本体的顶部具有厚度逐渐减小的减薄部，该减薄部与石墨电阻加热器本体之间为一体式设置。

2.根据权利要求1所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：所述减薄部顶部的厚度为石墨电阻加热器本体厚度的1/2-1/3，减薄部的两侧均为倾斜设置的斜面。

3.根据权利要求2所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：位于外侧的斜面与石墨电阻加热器本体的连接点低于位于内侧的斜面与石墨电阻加热器本体的连接点。

4.根据权利要求3所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：石墨电阻加热器本体的中心线穿过减薄部的顶部，且减薄部的顶部位于中心线内侧的部分占其总厚度3/4。

5.根据权利要求1所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：所述石墨电阻加热器本体的底部具有多个用于安装该石墨电阻加热器本体并沿周向间隔设置的连接部。

6.根据权利要求5所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：多个连接部分别通过石墨螺丝对应安装在位于单晶炉底部内侧的多个电极上。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，其特征在于：所述减薄部的高度不超过该加热器总高度的1/5。