[实用新型]一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器有效
| 申请号： | 202121567500.5 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN215297143U | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 章永麒;高家兴 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨市若初科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;G01N21/41;G01N21/01 |
| 代理公司： | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 | 代理人： | 严成 |
| 地址： | 150009 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光束 新型 光纤 spr 传感器 | ||
1.一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，包括左单模光纤、右单模光纤和无芯光纤，所述无芯光纤两端分别熔接所述左单模光纤和所述右单模光纤，所述无芯光纤的外部由内之外依次覆盖有金属镀膜、硅膜和凝胶层，所述无芯光纤的外部连接有传感器支架。
2.根据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述金属镀膜为银膜，所述无芯光纤的外部覆盖所述银膜。
3.根据权利要求2所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述银膜的厚度为40nm-60nm。
4.根据权利要求3所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述银膜的厚度为40nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述硅膜的厚度为8nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述左单模光纤包括左光纤包层和左光纤纤芯，所述左光纤纤芯位于所述左光纤包层中部。
7.根据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述右单模光纤包括右光纤包层和右光纤纤芯，所述右光纤纤芯位于所述右光纤包层中部。
8.据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述传感器支架的高度可调节。
9.据权利要求1所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，所述传感器支架包括用于连接所述无芯光纤的支撑件和固定件，所述支撑件沿长度方向设置有多个限位通孔，所述固定件设置有固定通孔，所述支撑件与所述固定件通过螺栓固定，所述固定件的环侧转动连接有多个支撑架。
10.据权利要求9所述的一种基于高斯光束的新型光纤SPR传感器，其特征在于，任意一个所述支撑架与所述固定件铰接。
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