[实用新型]一种高可靠性的终端结构有效
| 申请号： | 202121582790.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN215771157U | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张永利;王新强;王丕龙;刘文 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 郑艳春 |
| 地址： | 266100 山东省青岛市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 终端 结构 | ||
1.一种高可靠性的终端结构，其特征在于，包括衬底(2)，所述衬底(2)下方设置有漏极(1)、上方设置有n型缓冲区(3)，所述n型缓冲区(3)内部设置有规律排布的p型阱，所述p型阱包括：BODY I区P阱(7)、BODY II区P阱(6)、RING I区P阱(5)、RING II区P阱(4)和终端末端P阱(8)，所述p型阱上方设置有栅氧氧化层(9)和多晶层(10)，所述RING I区P阱(5)上方设置有PSG保护层(11)，所述BODY I区P阱(7)和所述BODY II区P阱(6)内置n+型源级(17)和p+型短路区(18)，源级金属电极(13)设置在所述BODY I区P阱(7)和所述BODY II区P阱(6)上方，栅极金属电极(14)设置在所述BODY II区P阱(6)和所述RING I区P阱(5)上方，
所述n型缓冲区(3)从左到右依次为BODY I区、BODY II区、RING I区和RING II区，所述BODY I区由BODY注入与JFET注入形成，所述BODY II区由BODY注入形成，所述RING I区由RING注入与BODY注入形成，所述RING II区由RING注入形成，RING II区浮空金属电极(12)设置在所述RING II区上方，终端末端金属电极(15)设置在所述终端末端P阱(8)上方。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性的终端结构，其特征在于，所述p型阱横向规则排列在所述n型缓冲区(3)内部。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠性的终端结构，其特征在于，所述p+型短路区(18)位于所述n+型源级(17)中间。
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