[实用新型]高增益介质谐振器天线及电子设备

说明书

本实用新型公开了一种高增益介质谐振器天线及电子设备，包括基板、介质谐振器和至少一个的介质体，所述介质谐振器设置于所述基板上；所述介质谐振器的形状为长方体，所述长方体沿X轴方向的两个相对的侧面上分别设有至少一个的第一开孔，所述X轴方向与所述长方体的底面的一边长平行；所述长方体远离基板的一面上设有至少一个的第二开孔，所述至少一个的介质体分别一一对应地设置于所述至少一个的第二开孔中；所述介质体的介电常数大于所述介质谐振器的介电常数。本实用新型可使天线的波束宽度变窄，提高天线增益。

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种高增益介质谐振器天线及电子设备。

背景技术

5G毫米波的射频链路EIRP(等效全向辐射功率)为天线增益与芯片输出增益之和，在EIRP满足3GPP标准下，高增益的毫米波天线可以使芯片的输出功率降低，从而使芯片散热良好；另一方面，高增益毫米波天线无需设计成双极化，因为天线增益高，所以简化了设计复杂度。

因此，如何提高天线增益成为有待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种高增益介质谐振器天线及电子设备，通过让介质谐振器天线的波束宽度变窄，从而提高天线增益。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种高增益介质谐振器天线，包括基板、介质谐振器和至少一个的介质体，所述介质谐振器设置于所述基板上；所述介质谐振器的形状为长方体，所述长方体沿X轴方向的两个相对的侧面上分别设有至少一个的第一开孔，所述X轴方向与所述长方体的底面的一边长平行；所述长方体远离基板的一面上设有至少一个的第二开孔，所述至少一个的介质体分别一一对应地设置于所述至少一个的第二开孔中；所述介质体的介电常数大于所述介质谐振器的介电常数。

进一步地，还包括馈电线，所述基板包括层叠的接地层和介质层，所述接地层上设有馈电缝隙；所述介质谐振器设置于所述接地层上，且覆盖所述馈电缝隙；所述馈电线设置于所述介质层远离所述接地层的一面上，所述馈电线与所述馈电缝隙耦合。

进一步地，所述馈电线的长度方向与所述X轴方向平行。

进一步地，所述馈电缝隙的长度方向与所述X轴方向垂直。

进一步地，所述馈电缝隙在介质层上的投影与所述馈电线在介质层上的投影垂直相交。

进一步地，所述介质谐振器的介电常数为9.5；所述介质体的介电常数为21。

进一步地，所述长方体的长度和宽度均为2.2mm，所述长方体的高度为3.3mm。

本实用新型还提出了一种电子设备，包括如上所述的高增益介质谐振器天线。

本实用新型的有益效果在于：通过在沿X轴方向的两个侧面上开孔，可降低这两个侧面的介电常数，从而可以增大这两个侧面上的磁流；通过在顶面上开孔并填充高介电常数的介质体，可增大顶面的介电常数，从而可以减小顶面的磁流；通过增大侧面的磁流，并减小顶面的磁流，可使天线的波束宽度变窄，提高天线增益。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的高增益介质谐振器天线的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一的高增益介质谐振器天线的左视示意图；

图3为本实用新型实施例一的高增益介质谐振器天线的俯视示意图；

图4为长方体的介质谐振器的示意图；

图5为矩形DRA工作在28GHz的TE113模式下随着A2/A1变化的归一化方向图；

图6为本实用新型实施例一的高增益介质谐振器天线的ZOX面归一化方向图；

图7为打孔和填充高介电物体前后的增益曲线对比图。