[实用新型]麦克风芯片、MEMS麦克风及电子设备

说明书

本实用新型提供的一种麦克风芯片、MEMS麦克风及电子设备，麦克风芯片包括：从下至上依次层叠的基底、第二绝缘层、振膜结构、第一绝缘层、第一背极板；振膜结构包括独立设置的第一振膜和第二振膜，第二振膜设置在第一振膜的外周边，第一振膜和第二振膜之间形成隔离槽；第一绝缘层为第一环形结构，第二绝缘层为第二环形结构，在垂直投影面上，第一环形结构的内轮廓和/或第二环形结构的内轮廓不超出第一振膜的投影。本申请实施方式提供了一种灵敏度高、结构规则、易于加工且有利于封装的麦克风芯片、MEMS麦克风及电子设备。

技术领域

本实用新型涉及一种麦克风芯片、MEMS麦克风及电子设备。

背景技术

现有的MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)麦克风一般包括衬底、背极和振膜。该振膜可动地设置于衬底和背极之间。且该振膜与背极之间形成电容。该衬底上设置有背腔。当声波朝向背腔传送时，该声波将引起振膜的振动，进而将声波信号转化为电信号。

现有的振膜一般包括两种类型。第一种振膜的外轮廓尺寸与衬底的外轮廓几乎相等。该振膜位于背腔外侧的部分为实心区域。该实心区域全部为寄生电容。而寄生电容分压，则会降低MEMS麦克风最终的灵敏度。第二种振膜的外轮廓尺寸与背腔的内轮廓尺寸几乎相等。该第二种振膜尽管可以去除寄生电容，但增加了MEMS麦克风四周的台阶，使得MEMS麦克风整层不平，台阶变大，不利于后续封装。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是提供一种灵敏度高、结构规则、易于加工且有利于封装的麦克风芯片、MEMS麦克风及电子设备。

一种麦克风芯片，包括：从下至上依次层叠的基底、第二绝缘层、振膜结构、第一绝缘层、第一背极板；所述振膜结构包括独立设置的第一振膜和第二振膜；所述第二振膜设置在所述第一振膜的外周边；所述第一振膜和所述第二振膜之间形成隔离槽；所述第一绝缘层为第一环形结构，所述第二绝缘层为第二环形结构，在垂直投影面上，所述第一环形结构的内轮廓和/或所述第二环形结构的内轮廓不超出所述第一振膜的投影。

作为一种优选的实施方式，所述第一背极板上方还设置有第三振膜，以形成双振膜麦克风芯片。

作为一种优选的实施方式，所述第一背极板包括两层或更多层结构，其中一层为导电层。

作为一种优选的实施方式，在所述垂直投影面上，所述导电层的外轮廓不超出所述第二振膜的内轮廓。

作为一种优选的实施方式，所述基底具有相互背对设置的第一表面和第二表面，所述基底设置有贯穿所述第一表面和所述第二表面的背腔，所述背腔面向所述第一振膜。

作为一种优选的实施方式，所述第二振膜的外轮廓尺寸不小于所述基底的外轮廓尺寸；在所述垂直投影面上，所述背腔的投影位于所述第一振膜的投影内。

作为一种优选的实施方式，所述第一绝缘层的面向所述振膜结构的一侧嵌入所述隔离槽中。

作为一种优选的实施方式，所述第一背极板上设置有多个声孔；最外侧的所述声孔在所述垂直投影面上的投影不超出所述第一环形结构的内轮廓。

作为一种优选的实施方式，在所述垂直投影面上，所述第二振膜的内轮廓不超出所述第二环形结构的外轮廓。

作为一种优选的实施方式，所述隔离槽的宽度小于5微米。

作为一种优选的实施方式，所述隔离槽的宽度大于0.1微米。

作为一种优选的实施方式，所述第一振膜上设置有泄压孔。