[实用新型]一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池

权利要求书

1.一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于，包括沿设定方向依次层叠的第一透明封装件、第一封装胶膜、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件、第二封装胶膜、钙钛矿单结太阳能电池组件和第二透明封装件；其中，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的正极、负极分别与所述钙钛矿单结太阳能电池组件的正极、负极电连接。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件包括若干个叠瓦串联的叠层电池单元，且底部叠层电池单元具有抛光面；所述叠层电池单元包括第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，所述第一栅极为栅线，所述第一栅极和第二栅极均包括主栅和副栅，且相邻的叠层电池单元之间的主栅叠置设置；和/或，所述、钙钛矿单结太阳能电池组件包括若干个串联设置的钙钛矿单结电池单元，所述钙钛矿单结电池单元包括导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，且所述钙钛矿层为MAPbI_xBr_3-x层或FA_0.75Cs_0.175MA_0.075PbI_xBr_3-x层，其中，MA的结构式为CH₃NH₃⁺，FA的结构式为CH₃NH₂NH₃⁺；和/或，所述第一透明封装件、第二透明封装件均采用封装玻璃。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端面为所述叠层电池单元的P侧。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um；和/或，所述HIT电池层的厚度为110-180um；和/或，所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述电子传输层的厚度为10-50nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为10-30nm；和/或，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um。

5.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端为N侧。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um；和/或，所述HIT电池层的厚度为110-180um；和/或，所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为15-40nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述电子传输层的厚度为20-50nm；和/或，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um。

7.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿单结电池单元为正向结构，且所述钙钛矿单结电池单元包括依次层叠设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极。