[实用新型]一种双工作模式碳化硅功率器件结构

权利要求书

1.一种双工作模式碳化硅功率器件结构，包括器件结构本体，其特征在于：所述器件结构本体包括Bipolar部分及MOSFET部分，且所述Bipolar部分及MOSFET部分均包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，所述N型衬底的顶部设置有P-base区，该P-base区上通过延伸至N型衬底内的沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；所述P-base区的顶部设置有若干延伸至P-base区内的N+注入区和P+注入区，P-base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，所述栅极氧化层及沟槽栅极的顶部通过ILD内绝缘层与对应位置上的可浮动基级或发射极进行隔离。

2.根据权利要求1所述的双工作模式碳化硅功率器件结构，其特征在于：所述ILD外绝缘层内横向设置有若干布置在P-base区顶部的平面栅极，所述P-base区对应于平面栅极左右两端的位置上分别设置有一组N+注入区，所述平面栅极的左右两端分别通过ILD衬垫与对应位置上的N+注入区连接。

3.根据权利要求2所述的双工作模式碳化硅功率器件结构，其特征在于：所述Bipolar部分内的版图布置包括纵向布置的第一N+注入区、第二N+注入区及横向布置在两N+注入区之间的若干组平面栅极，且相邻两平面栅极之间的第一N+注入区上通过第一P+注入区进行隔离；所述MOSFET部分内的版图布置包括纵向布置的第三N+注入区、第四N+注入区及纵向布置在两N+注入区之间的第二P+注入区。

4.根据权利要求3所述的双工作模式碳化硅功率器件结构，其特征在于：所述器件结构本体内包括至少一组Bipolar部分和至少两组MOSFET部分，且所述MOSFET部分与所述Bipolar部分的组数比大于或等于2∶1；所述MOSFET部分内相邻两第三N+注入区和第四N+注入区之间通过沟槽栅极进行分隔。

5.根据权利要求2所述的双工作模式碳化硅功率器件结构，其特征在于：所述Bipolar部分布置在由MOSFET部分外侧的沟槽栅极围合成的框形区域内，所述Bipolar部分内的版图布置包括第一N+注入区、第二N+注入区和第三N+注入区，且第一N+注入区与第三N+注入区及第二N+注入区与第三N+注入区之间均通过平面栅极连接，所述第一N+注入区和第二N+注入区的上下两侧均通过第一P+注入区进行分隔。

6.根据权利要求5所述的双工作模式碳化硅功率器件结构，其特征在于：所述MOSFET部分内的版图布置包括分别布置在MOSFET部分前后两侧的第四N+注入区、布置在第四N+注入区围合区域内的第二P+注入区、纵向布置的第五N+注入区、第六N+注入区及纵向布置在两N+注入区之间的第三P+注入区。