[实用新型]一种控制电路

说明书

本实用新型公开了一种控制电路，包括驱动电路及钳位电路，驱动电路根据控制信号控制开关管开通或关断，在开关管关断时，通过钳位电路将开关管的控制端和第二端之间的电压钳位在预设电压，此预设电压小于开关管所能承受的负压，从而在开关管关断时，控制端和第二端之间不会产生过大的负压，从而避免损坏开关管，保证开关管所在电路的安全性及可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电力电子领域，特别是涉及一种控制电路。

背景技术

近年来，随着电力电子技术的发展，以SiC(Silicon Carbide，碳化硅)为代表的宽禁带半导体电力电子器件的应用已经引起了广泛的关注。SiC MOSFET(Silicon CarbideMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种宽带隙半导体材料，具有宽带禁带大、击穿电压高、热导率高等良好的物理化学性质，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的开关速度较快、导通电阻及开关损耗大幅降低，此外，由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，因而也可以应用于各类高温、高压和高开关频率场合。

但是，MOSFET在关断时，栅极和源极之间会产生一定值的负压，若此负压值超过MOSFET可承受的负压阈值，则可能会导致MOSFET损坏。而SiC MOSFET的栅源级之间耐受负压能力较差，因此，为避免MOSFET损坏，在SiC MOSFET关断时候，提供一种措施以避免SiCMOSFET的栅极和源级之间出现因负压过大的情况，进而避免器件损坏是十分必要的。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种控制电路，在开关管关断时，控制端和第二端之间不会产生过大的负压，从而避免损坏开关管，保证开关管所在电路的安全性及可靠性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种控制电路，包括驱动电路及钳位电路，所述驱动电路的输入端与电源连接，所述驱动电路的输出正端分别与所述钳位电路的第一端及所述开关管的控制端连接，所述驱动电路的输出负端分别与所述钳位电路的第二端及所述开关管的第二端连接，所述开关管的第一端与所述开关管的供电电源连接；

所述驱动电路用于根据控制信号控制所述开关管开通或关断；

所述钳位电路用于在所述开关管关断时，将所述开关管的控制端与第二端之间的电压差值钳位在预设电压，所述预设电压小于所述开关管的可承受的负压。

优选地，所述钳位电路包括第一可控开关；

所述第一可控开关的第一端为所述钳位电路的第一端，所述第二可控开关的第二端为所述钳位电路的第二端，所述第一可控开关的控制端与所述驱动电路的输出正端连接；

所述第一可控开关用于在所述驱动电路驱动所述开关管导通时，使自身第一端与第二端之间截止，在所述驱动电路驱动所述开关管截止时，使自身第一端与第二端之间导通。

优选地，所述钳位电路还包括限流电阻；

所述限流电阻的第一端与所述驱动电路的输出正端连接，所述限流电阻的第二端与所述第一可控开关的控制端连接。

优选地，所述驱动电路包括第一电阻及第一电容；

所述第一电阻的第一端与所述电源的输出正端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第一端连接，并作为所述驱动电路的输出正端，所述第一电容的第二端与所述电源的输出负端连接，并作为所述驱动电路的输出负端。

优选地，所述驱动电路还包括第二电阻；

所述第二电阻的第一端与所述第一电容的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电容的第二端连接。

优选地，所述控制电路应用于桥式电路，所述桥式电路的上开关管和下开关管均对应一个驱动电路及钳位电路；