[实用新型]一种低电压补偿装置

权利要求书

1.一种低电压补偿装置，其特征在于：包括3N补偿器T1和3N调整器T2,所述3N补偿器T1包括初级绕组3N1、初级绕组3N2、初级绕组3N3、初级绕组3N4、初级绕组3N5、初级绕组3N6以及次级绕组,所述3N调整器T2包括三个绕组和设于绕组中的N个接头，接头分别为接头3NA1、接头3NA2、接头3NA3、接头3NA4、接头3NA5、接头3NA6、接头3NA7、接头3NA8、接头3NA9、接头3NA10和接头3NB1、接头3NB2、接头3NB3、接头3NB4、接头3NB5、接头3NB6、接头3NB7、接头3NB8、接头3NB9、接头3NB10和接头3NC1、接头3NC2、接头3NC3、接头3NC4、接头3NC5、接头3NC6、接头3NC7、接头3NC8、接头3NC9、接头3NC10。

2.根据权利要求1所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3，所述控制保护开关QF1连接于3N调整器的接头3NA1，所述控制保护开关QF2连接于3N调整器T2接头的3NB1，所述控制保护开关QF3连接于3N调整器T2的接头3NC1，所述控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3的另一端分别连接于A相输出端、B相输出端,C相输出端。

3.根据权利要求2所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括双向可控硅SCRU1、双向可控硅SCRU2、双向可控硅SCRU3、双向可控硅SCRU4、双向可控硅SCRU5、双向可控硅SCRU6、双向可控硅SCRU7、双向可控硅SCRU8、双向可控硅SCRU9、双向可控硅SCRU10、双向可控硅SCRV1、双向可控硅SCRV2、双向可控硅SCRV3、双向可控硅SCRV4、双向可控硅SCRV5、双向可控硅SCRV6、双向可控硅SCRV7、双向可控硅SCRV8、双向可控硅SCRV9、双向可控硅SCRV10、双向可控硅SCRW1、双向可控硅SCRW2、双向可控硅SCRW3、双向可控硅SCRW4、双向可控硅SCRW5、双向可控硅SCRW6、双向可控硅SCRW7、双向可控硅SCRW8、双向可控硅SCRW9以及双向可控硅SCRW10，所述3N补偿器T1的初级绕组3N1连接于3N调整器T2中的双向可控硅SCRU1、双向可控硅SCRU2、双向可控硅SCRU3、双向可控硅SCRU4、双向可控硅SCRU5、双向可控硅SCRU6、双向可控硅SCRU7、双向可控硅SCRU8、双向可控硅SCRU9、双向可控硅SCRU10的一端，所述初级绕组3N2连接于3N调整器T2中的接头3NA10,所述的初级绕组3N3连接于3N调整器T2中的双向可控硅SCRV1、双向可控硅SCRV2、双向可控硅SCRV3、双向可控硅SCRV4、双向可控硅SCRV5、双向可控硅SCRV6、双向可控硅SCRV7、双向可控硅SCRV8、双向可控硅SCRV9以及双向可控硅SCRV10，所述初级绕组3N4连接于3N调整器T2中的接头3NB10,所述的初级绕组3N5连接有3N调整器T2中的双向可控硅SCRW1、双向可控硅SCRW2、双向可控硅SCRW3、双向可控硅SCRW4、双向可控硅SCRW5、双向可控硅SCRW6、双向可控硅SCRW7、双向可控硅SCRW8、双向可控硅SCRW9以及SCRW10,所述初级绕组3N6连接有3N调整器T2中的接头3NC10，所述双向可控硅SCRU10、双向可控硅SCRU9、双向可控硅SCRU8、双向可控硅SCRU7、双向可控硅SCRU6、双向可控硅SCRU5、双向可控硅SCRU4、双向可控硅SCRU3、双向可控硅SCRU2、双向可控硅SCRU1的另一端分别连接于接头3NA10、接头3NA9、接头3NA8、接头3NA7、接头3NA6、接头3NA5、接头3NA4、接头3NA3、接头3NA2、接头3NA1，所述双向可控硅SCRV10、双向可控硅SCRV9、双向可控硅SCRV8、双向可控硅SCRV7、双向可控硅SCRV6、双向可控硅SCRV5、双向可控硅SCRV4、双向可控硅SCRV3、双向可控硅SCRV2以及SCRV1的另一端分别连接于接头3NB10、接头3NB9、接头3NB8、接头3NB7、接头3NB6、接头3NB5、接头3NB4、接头3NB3、接头3NB2、接头3NB1，所述双向可控硅SCRW10、双向可控硅SCRW9、双向可控硅SCRW8、双向可控硅SCRW7、双向可控硅SCRW6、双向可控硅SCRW5、双向可控硅SCRW4、双向可控硅SCRW3、双向可控硅SCRW2、双向可控硅SCRW1的另一端分别连接于接头3NC10、接头3NC9、接头3NC8、接头3NC7、接头3NC6、接头3NC5、接头3NC4、接头3NC3、接头3NC2、接头3NC1，所述接头3NA10、接头3NB10、接头3NC10连接输入N线。