[实用新型]一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器

权利要求书

1.一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体(1)、电阻膜层(5)、金属引线，以及设置在基体(1)上的电极膜，其特征在于：所述电极膜包括A面电极膜层(4)、B面电极膜层(2)和侧面电极膜层(3)，所述A面电极膜层(4)设置在基体(1)的上表面，所述基体(1)的下表面设置有B面电极膜层(2)，所述基体(1)侧面设置有侧面电极膜层(3)，所述侧面电极膜层(3)连接A面电极膜层(4)和B面电极膜层(2)，所述电阻膜层(5)包括输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)、条形电阻膜(53)，所述电阻膜层(5)设置于基体(1)上表面并与A面电极膜层(4)搭接端搭接，所述电阻膜层(5)的表面覆盖有保护膜层(6)，所述基体(1)上表面设置有封装盖板(8)。

2.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述B面电极膜层(2)采用丝网漏印工艺覆盖印于基体(1)的整个下表面，所述A面电极膜层(4)包括设置在基体(1)上表面边沿位置的第一条形电极膜(41)、第二条形电极膜(42)、第三条形电极膜(43)、第四条形电极膜(44)，以及位于基体(1)中心位置的H形电极膜(45)。

3.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述电阻膜层(5)采用丝网漏印工艺印于基体(1)的上表面，所述电阻膜层(5)与A面电极膜层(4)形成有效电气连接。

4.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述金属引线包括第一金属引线(71)、第二金属引线(72)，所述金属引线采用热压焊工艺焊接于A面电极膜层(4)之上，所述封装盖板(8)采用耐高温粘接剂粘接在基体(1)上表面，所述基体(1)采用氧化铍陶瓷。

5.根据权利要求2所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述第一条形电极膜(41)、第二条形电极膜(42)、第三条形电极膜(43)、第四条形电极膜(44)设置在基体(1)上表面的四周的边缘位置，所述侧面电极膜层(3)与第二条形电极膜(42)、第四条形电极膜(44)形成有效地电气连接。

6.根据权利要求3所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)为两个形状相同大小不一样的竖置矩形膜，所述条形电阻膜(53)为竖置条形膜，所述输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)位于H形电极膜(45)两侧，与H形电极膜(45)以及第一条形电极膜(41)、第三条形电极膜(43)形成有效地电气连接，所述条形电阻膜(53)设置于基体(1)中心位置，穿过H形电极膜(45)，且与H形电极膜(45)和第二条形电极膜(42)、第四条形电极膜(44)形成有效地电气连接。