[实用新型]一种基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种基片集成波导滤波器，其特征在于，包括：

相互间隔的第一导电层和第二导电层；

多个位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的多个立柱；各所述立柱分别电性连接所述第一导电层和所述第二导电层；

波导介质层，所述波导介质层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且包覆各所述立柱；

其中多个立柱在平行于所述第一导电层或所述第二导电层的方向上形成周期性排列的至少四个行；且所述多个立柱的各个行之间相互平行。

2.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述波导介质层的介电常数为2.9-7.8。

3.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述波导介质层包括：

第一波导介质；所述第一波导介质填充所述第一导电层和所述第二导电层之间的空间，且包覆各所述立柱。

4.根据权利要求3所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述第一波导介质包括环氧塑封料。

5.根据权利要求3所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述波导介质层还包括：

第二波导介质；所述第二波导介质位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第二波导介质被所述第一波导介质包覆；所述第二波导介质的介电常数小于所述第一波导介质的介电常数。

6.根据权利要求5所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述第二波导介质为硅片或陶瓷片。

7.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述多个立柱为金属柱，所述金属柱的直径为100μm-500μm，各相邻所述金属柱之间的间隔为100μm-1mm。

8.根据权利要求3所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，还包括：

埋入芯片，所述埋入芯片位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，且至少位于两行所述多个立柱之间；所述埋入芯片被所述第一波导介质包覆；所述埋入芯片至少与所述第一导电层或所述第二导电层其中之一电连接。

9.根据权利要求8所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述埋入芯片的背面抵接所述第一导电层；

所述埋入芯片的正面与所述第二导电层之间存在间隔，通过接线或所述埋入芯片的接脚与所述第二导电层电性连接。

10.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，

所述第二导电层包括层叠的多层金属互联层和包覆所述多层金属互联层的绝缘介质层，所述多层金属互联层的顶层的顶面与所述绝缘介质层的顶面齐平，所述多层金属互联层的底层的底面与所述绝缘介质层的底面齐平；

所述多个立柱分别与所述多层金属互联层电性接触。