[实用新型]一种发光二极管芯片结构及发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构的外延层包括N-GaN层和位于所述N-GaN层上方的P-GaN层，其中，P-GaN层两侧为MESA刻蚀区，所述P-GaN层上自下而上依次设置CBL电流阻挡层、ITO电流扩展层、PSV钝化层和NP电极结构层，所述NP电极结构层包括N电极和P电极，其中，所述MESA刻蚀区为平台结构，所述CBL电流阻挡层包括阻挡盘，所述ITO电流扩展层和MESA刻蚀区光刻图形在所述CBL电流阻挡层的阻挡盘上方开有小于所述阻挡盘直径的贯穿孔，所述P电极通过所述贯穿孔与所述P-GaN层接触。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述MESA刻蚀区与所述ITO电流扩展层开一道光刻。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述ITO电流扩展层表面溅射有ITO铟锡氧化物，其中，所述ITO铟锡氧化物的厚度为300至3000埃。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述CBL电流阻挡层为SiO₂绝缘物，所述SiO₂绝缘物的厚度范围为1000至5000埃。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，在位于所述CBL电流阻挡层上方的PSV钝化层图形中开若干个电流导通孔，使得所述P电极与所述ITO电流扩展层或者所述P-GaN层接触，所述N电极与所述N-GaN层接触。

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述PSV钝化层表面沉积SiO₂绝缘物，所述SiO₂绝缘物的厚度范围为300至1000埃。

7.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1至6任意一项所述的发光二极管芯片结构。