[实用新型]中心对称双排SiC肖特基二极管

说明书

本实用新型公开了一种中心对称双排SiC肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，同一侧并列的两个所述肖特基二极管结沿所述第一焊盘的前后方向设置，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率且价格低，易于产业化，耐功率特性强。

技术领域

本实用新型涉及太赫兹器件技术领域，尤其涉及一种新型的中心对称双排SiC肖特基二极管。

背景技术

太赫兹波是指频率在 100GHz-10THz范围内的电磁波，在太赫兹频率低端，基于肖特基二极管的方式可以实现太赫兹倍频源。目前常用的是GaAs基的肖特基二极管，但是GaAs基肖特基二极管由于其耐击穿特性不如禁带宽度更大的宽禁带材料肖特基二极管，因此基于宽禁带材料的肖特基二极管来制作大功率的太赫兹源成为一种比较有潜在价值的技术。目前常见的是基于GaAs和GaN肖特基二极管，其采用同方向串联或采用中间焊盘，向两端延伸的二极管形式。基于GaAs材料和GaN材料制作的肖特基二极管，散热特性不好，当处于大功率驱动的时候，肖特基二极管的性能受到影响。基于SiC衬底的GaN肖特基采用SiC衬底上生长缓冲层后再生产GaN层，来改善GaN的散热特性，而基于SiC衬底上直接生长SiC外延层的方式，同时采用SiC作为肖特基层和欧姆接触层，较SiC基的GaN材料来说，散热更为直接，散热性能更好，更有助于提升肖特基二极管的性能。当用于倍频的时候，为了提高输出功率，需要将肖特基结的数量增加，采用在横向或者纵向维度上增加肖特基结的数量可以增加肖特基二极管的耐受功率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是如何提供一种能够提高使用良率且价格低，易于产业化，耐功率特性的中心对称双排SiC肖特基二极管。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种中心对称双排SiC肖特基二极管，其特征在于：包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，同一侧并列的两个所述肖特基二极管结沿所述第一焊盘的前后方向设置，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等；

所述肖特基二极管结包括半绝缘SiC衬底层，所述半绝缘SiC衬底层的上表面的中部形成有钝化层，所述钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂SiC层，左右两侧的所述重掺杂SiC层上内嵌有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂SiC层的上表面，且所述欧姆接触金属层的面积小于相应侧的重掺杂SiC层的面积，不具有欧姆接触金属层的重掺杂SiC层的上表面形成有低掺杂SiC层，所述低掺杂SiC层的高度高于所述欧姆接触金属层的高度，所述欧姆接触金属层的上表面形成有金属加厚层，所述低掺杂SiC层的上表面形成有二氧化硅层，且左侧的二氧化硅层上内嵌有肖特基接触金属层，且所述肖特基接触金属层与所述低掺杂SiC层相接触，所述金属加厚层的高度高于所述二氧化硅层的高度，右侧的金属加厚层通过金属空气桥与所述肖特基接触金属层连接。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：采用此种新型结构的SiC肖特基二极管可应用于毫米波与太赫兹频段的偶次倍频和奇次倍频。为了方便焊接，可在中间两个肖特基结之间的焊盘上引入上下梁式引线，方便导电胶的装配。基于此种新型结构的肖特基二极管，在使用的试用，可以不用区分正反方向，并且由于在焊接的过程中，三个焊接焊盘均是纯金属结构，不会存在将肖特基结给糊住的情况，提高了肖特基二极管的使用良率。由于采用了双排结构，可以提升对输入功率的耐功率特性，并可以增加输出功率。

此外，本肖特基二极管的衬底和外延层均采用SiC材料，可大大提升肖特基二极管散热特性，有利于降低肖特基二极管的工作温度，并提升肖特基二极管的可靠性和效率。

附图说明