[实用新型]上电极组件和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种上电极组件，用于半导体工艺设备中，设置于反应腔室上，其特征在于，所述上电极组件包括：

上电极盖板，所述上电极盖板用于设置在所述反应腔室的顶部开口上；

匀流板，所述匀流板设置于所述上电极盖板朝向所述反应腔室一侧的表面上；

接触电极，所述接触电极设置于所述匀流板背离所述上电极盖板的一侧的表面上；

阻抗环，所述阻抗环固定于所述匀流板上，所述阻抗环环绕于所述接触电极的外周，所述阻抗环为介质材质，且所述阻抗环的电导率小于所述接触电极的电导率；所述接触电极背离所述匀流板一侧的表面位于所述阻抗环环绕区域内，且与所述阻抗环背离所述匀流板一侧的表面之间具有预设间距。

2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述阻抗环的厚度大于所述接触电极的厚度，且所述阻抗环朝向所述匀流板的表面与所述接触电极朝向所述匀流板的表面平齐。

3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述匀流板上设有周向环绕的避让沉台，所述阻抗环与所述避让沉台相对设置，所述接触电极设置于所述匀流板的所述避让沉台环绕的区域内。

4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括安装座，所述安装座固定于所述避让沉台内，所述阻抗环通过所述安装座固定于所述匀流板，且所述阻抗环与所述避让沉台相对设置。

5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述阻抗环和所述安装座在沿径向远离所述避让沉台处，通过可拆卸的方式固定连接。

6.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述阻抗环的内环壁在背离所述匀流板的一侧设有避让倒角。

7.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述阻抗环为陶瓷件或石英材质。

8.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述预设间距在0.3～1.5mm之间。

9.一种半导体工艺设备，包括反应腔室、匹配器和射频电源，所述反应腔室内设有基座，所述射频电源通过所述匹配器向所述基座上馈入射频，其特征在于，还包括如权利要求1-8中任意一项所述的上电极组件。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，沿所述接触电极的厚度方向，所述接触电极在所述基座上的投影，位于所述基座上用于支撑晶圆的支撑面所在的区域内。