[实用新型]一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统有效
| 申请号： | 202121743755.2 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN215828863U | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 邾根祥;朱沫浥;方辉;李东明;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 合肥科晶材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/507;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 邢彬 |
| 地址： | 231202 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ald cvd 配合 使用 薄膜 材料 制备 系统 | ||
1.一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，包括射频单元(3)、反应腔(2)和注入单元；
所述射频单元(3)通过产生交变磁场在反应腔(2)内生成感应交变电流；所述反应腔(2)的内部设置有反应座(4)；所述反应腔(2)与所述注入单元连接；所述注入单元包括混合罐(1)和喷头(10)；所述喷头(10)布置在所述反应座(4)的上端；所述喷头(10)与所述混合罐(1)连接；所述混合罐(1)存储有反应物。
2.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述反应座(4)包括支撑板(43)和支撑座；所述支撑板(43)对上端均布有连接孔；所述支撑板(43)布置在所述支撑座的上端；所述支撑板(43)与所述支撑座通过螺钉连接；所述支撑座包括上板(41)和下板(45)；所述上板(41)靠近所述支撑板(43)的一侧设有凹槽；所述凹槽与连接管一固定安装；所述下板(45)设置有连接管二；所述下板(45)与所述连接管一固定安装；所述连接管一与所述连接管二连通；所述凹槽设置有加热块(44)；所述连接管一的外侧缠绕有线圈。
3.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述反应腔(2)由石英管(21)和法兰(22)组成，所述法兰(22)的底部设置有真空抽口(23)。
4.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述喷头(10)为4英寸蒸汽分散喷头(10)，所述喷头(10)设有400个直径为0.5mm的喷孔。
5.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述反应腔(2)连接有真空泵(7)；所述真空泵(7)连接有冷阱(8)。
6.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述混合罐(1)内部固定安装有加热环和温控装置；所述混合罐(1)的外部连接有高频ALD阀(9)。
7.根据权利要求1所述的ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统，其特征在于，所述反应腔(2)布置在工作台(6)的上端；所述工作台(6)设置有控制面板(5)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
