[实用新型]场效晶体管结构与芯片装置

权利要求书

1.一种场效晶体管结构，其特征在于，包括：

漏极衬底，具有处理表面与对应的背面，由所述处理表面形成有相互平行的第一沟槽，所述第一沟槽的内壁绝缘处理，所述第一沟槽内设置源极延伸倒鳍，所述漏极衬底的背面金属化;

有源层，形成于所述漏极衬底的所述处理表面，由所述有源层形成有位于所述第一沟槽之间的第二沟槽，所述第二沟槽的内壁绝缘处理，所述第二沟槽内设置柵极;

内介电层，形成于所述有源层上与所述柵极上,使所述柵极为嵌埋结构;由所述内介电层形成有对准所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的两侧壁露出所述有源层的边缘，所述第三沟槽的底部露出所述源极延伸倒鳍的顶部;

金属源极层，形成于所述第三沟槽内，以导接所述源极延伸倒鳍与所述有源层。

2.根据权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述金属源极层还形成于所述内介电层上，所述有源层由所述漏极衬底的所述处理表面内化形成;所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述有源层为多层结构,包括：位于底层的沟道层、位于所述沟道层上的电流平衡层、位于所述电流平衡层上的源极领域层;所述第三沟槽的深度使所述第三沟槽穿过所述源极领域层与所述电流平衡层。

4.根据权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述第一沟槽的底部经过厚氧化处理，使所述第一沟槽的绝缘厚度在内壁底部大于在内壁侧部。

5.根据权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述漏极衬底在对应所述第一沟槽底部的部位还形成有深植入区，以形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。

6.根据权利要求1所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述漏极衬底在对应所述第二沟槽底部的部位还形成有植入区，以形成栅下浮空反极型结。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的场效晶体管结构，其特征在于，利用所述柵极的电场效应，来自所述金属源极层的电子流由所述第三沟槽的侧边分流沿着所述第二沟槽的侧壁轮廓的其中一对称侧移动到所述第一沟槽之间的所述漏极衬底，均匀在所述漏极衬底的所述背面或设置于该背面的漏极金属垫。

8.一种半导体芯片装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7中任一项所述的一种场效晶体管结构。

9.一种半导体芯片装置，其特征在于，使用的场效晶体管结构包括:位于处理表面下的漏极衬底、位于所述处理表面上的金属源极层以及嵌入于所述漏极衬底内的源极延伸倒鳍与柵极;所述柵极排列在所述源极延伸倒鳍之间的中间区域,所述柵极两侧各形成有由所述金属源极层至所述漏极衬底并联的对称型沟道，所述漏极衬底的背面金属化。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片装置，其特征在于，所述柵极两侧的沟道上方还形成有由所述金属源极层至所述漏极衬底并联的对称型领域电阻;所述漏极衬底在对应所述柵极的底部部位形成栅下浮空反极型结;所述漏极衬底在对应所述源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。