[实用新型]一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备

权利要求书

1.一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：包括装置本体、设备内壁、反应室、石英架、电极、进气口、出气口、感应线圈；所述设备内壁位于所述装置本体内部，所述反应室位于所述设备内壁内部，所述感应线圈位于所述设备内壁外侧，所述电极位于所述反应室内部并相对放置，所述石英架置于所述电极内部，所述进气口位于所述电极负极一侧，所述出气口位于所述电极的正极一侧。

2.根据权利要求1所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：还包括法拉第笼；所述法拉第笼位于所述石英架和所述电极之间。

3.根据权利要求2所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：还包括外接射频发生装置；所述外接射频发生装置位于所述装置本体外部。

4.根据权利要求3所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述法拉第笼为网状结构，所述法拉第笼直径为26厘米，长25厘米，厚度为0.3厘米。

5.根据权利要求4所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述法拉第笼的孔洞为方形或圆形。

6.根据权利要求5所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述装置本体长30厘米，高40厘米，宽40厘米。

7.根据权利要求6所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述石英架上设置有25组装片位；所述装片位放置有外延片；所述外延片尺寸为选自包括5英寸、6英寸、8英寸中的一种。

8.根据权利要求7所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述电极的正负极各有两片电极片，正负极之间的电极片间距为5厘米，正极的电极片距离为3厘米，负极的电极片距离为3厘米。

9.根据权利要求8所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述反应室形状为横放的圆柱体，所述反应室直径为30厘米，长为27厘米。

10.根据权利要求9所述的一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，其特征在于：所述进气口包括进气口1和进气口2；所述进气口1和所述进气口2交错排列。