[实用新型]一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒

说明书

本实用新型提供一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒，包括上筒壁和下筒壁，下筒壁的一端与上筒壁连接，下筒壁的自由端设有多个开槽，以使得流经下筒壁自由端的保护气体的流速增加。本实用新型的有益效果是在下筒壁的自由端设置多个开槽，下筒壁的截面形状为曲线，增大氩气的流动速率，提高氩气带走氧化物的能力，降低硅单晶中的氧含量，提高单晶品质。

技术领域

本实用新型属于光伏技术领域，尤其是涉及一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒。

背景技术

氧是CZ硅单晶中含量最高，行为最复杂的一种杂质，晶体中的氧既有益又有害，因此，在拉制硅单晶过程中需要对氧含量进行控制。

在直拉单晶中降低氧含量主要有两大类方法，第一类就是抑制氧原子的产生，也就是降低石英坩埚的溶解速度，第二类就是加快氧原子的挥发速度，即增加SIO的挥发速率。

导流筒在热场中主要作用是隔绝加热器对单晶的热辐射，增大单晶温度梯度，从而提高拉速，同时使氩气流经导流筒吹拂液面，带走氧化物，也就是说氩气流经导流筒下沿速率越快，带走的氧化物越多，单晶氧含量也就越低。

当前导流筒结构如图5所示，导流筒下沿斜面为直线形状，导流筒下口呈圆形，氩气流经导流筒下沿的速率不高，不能快速的将氧化物带走。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型提供一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒，以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒，包括上筒壁和下筒壁，下筒壁的一端与上筒壁连接，下筒壁的自由端设有多个开槽，以使得流经下筒壁自由端的保护气体的流速增加。

进一步的，开槽沿着下筒壁的自由端的径向方向设置，多个开槽沿着下筒壁的自由端的周向设置。

进一步的，多个开槽被至少设置为一组，多组开槽沿着下筒壁的自由端的径向方向设置。

进一步的，每一组中的多个开槽设于下筒壁的自由端的同一周向上，且相邻组中的多个开槽交错设置。

进一步的，开槽为通槽；或，

开槽设于下筒壁的自由端的面向下筒壁内部的侧面上，且开槽的深度小于下筒壁的自由端的厚度。

进一步的，开槽沿着下筒壁的周向方向的长度为5-50mm，开槽沿着下筒壁的径向方向的长度为5-50mm。

进一步的，下筒壁的截面形状为曲线，以使得流经下筒壁的保护气体的流速增加。

进一步的，下筒壁的截面形状为向下筒壁的外部方向凸起的曲线形状。

进一步的，下筒壁的截面形状为圆弧。

进一步的，下筒壁的截面的半径为150-400mm。

由于采用上述技术方案，使得降低直拉单晶硅氧含量的导流筒的结构简单，使用方便，导流筒的下筒壁的截面形状为曲线，使得导流筒的下筒壁的外侧壁至硅溶液液面之间的距离减小，在流经相同的氩气流量时，氩气流经下筒壁的侧壁的速率大于流经现有技术中的直线型的下筒壁的侧壁的速率，从而提高带走氧化物的能力；导流筒的下筒壁的自由端设有多个开槽，增大了流经该自由端的氩气的流通的面积，与现有技术中的导流筒相比，相同时间内流经自由端的氩气的流量增加，使得氩气的流速增加，从而提高带走氧化物的能力，降低硅单晶中的氧含量，提高单晶的品质。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的导流筒结构示意图；

图2是本实用新型的一实施例的导流筒的俯视结构示意图；

图3是本实用新型的一实施例的导流筒局部结构示意图；