[实用新型]一种单晶炉加料系统有效

专利信息
申请号: 202121765708.8 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN215800035U 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 董升;李侨;邓浩;文永飞;刘永生 申请(专利权)人: 隆基绿能科技股份有限公司
主分类号: C30B15/02 分类号: C30B15/02;C30B29/06;C30B15/20
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉 加料 系统
【说明书】:

实用新型公开一种单晶炉加料系统,涉及太阳能光伏技术领域,以解决在单晶炉供给固态原料的过程中,当固态原料落入到坩埚内熔体中时,会产生较大冲击,导致熔体液面振荡,影响单晶生长的技术问题。上述包括单晶炉加料系统包括加料装置以及熔料导料装置;导料装置包括熔料部以及导料部。加料装置的出料口与熔料部相对设置,用于将原料加入导料加热部中,熔料部用于对所述原料进行熔融,得到熔料。熔料部的出料口与导料部的入料口相对设置,用于向导料部提供熔料,导料部的出料口伸入单晶炉中,用于将熔料导入所述单晶炉的坩埚中。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域,尤其涉及一种单晶炉加料系统。

背景技术

目前,拉制单晶硅的工艺包括CZ(Czochralski,直拉单晶制造法)和CCZ(Continuous Czocharlski,连续拉晶)工艺。

采用CCZ工艺拉制单晶硅棒时,通常在单晶炉外设置加料器装置,在保持拉晶的同时将固态原料连续地加入单晶炉的坩埚中,从而保证连续拉晶的进行。

但在供给固态原料的过程中,当固态固态原料直接落入到坩埚内熔体中时,会产生较大机械冲击和热冲击,导致熔体液面振荡,并在晶体生长界面的引起温度梯度变化,影响单晶生长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶炉加料系统,以解决在供给固态原料的过程中,当固态原料落入到坩埚内熔体中时,会产生较大冲击,导致熔体液面振荡,影响单晶生长的技术问题。

第一方面,本实用新型提供一种单晶炉加料系统,包括加料装置以及熔料导料装置;所述熔料导料装置包括熔料部以及导料部。

加料装置的出料口与熔料部相对设置,用于将原料加入熔料部中,熔料部用于对所述原料进行熔融,得到熔料;熔料部的出料口与导料部的入料口相对设置,用于向所述导料部提供熔料,所述导料部的出料口伸入所述单晶炉中,用于将所述熔料导入所述单晶炉的坩埚中。

在采用上述方案的情况下,本实用新型提供的单晶炉加料系统包括加料装置以及熔料导料装置,熔料导料装置包括熔料部以及导料部。熔料部用于对加料装置提供的原料进行熔融,以得到熔料。由于熔料部的出料口与导料部的入料口相对设置,导料部的出料口伸入所述单晶炉中,故熔料部中的熔料可以通过导料部进入单晶炉的坩埚中。基于此,本实用新型在单晶炉外部将原料进行熔融,然后将原料熔融后得到的液态熔料加入单晶炉的坩埚内,液态熔料的加入,相对于固态原料对坩埚内本身存在熔料产生的冲击较小,基本不会导致坩埚内的熔料液面产生波纹,因此,本实用新型提供的单晶炉加料系统在对单晶炉的坩埚进行加料时,不会影响单晶硅棒的生长,保证了单晶硅棒的品质。且,熔融态的原料加入坩埚,不会因为熔化吸收热量,对热场温度梯度及坩埚内对流影响较小,有利于拉晶的稳定进行。且本实用新型无需其他控料机构,结构简单,易于控制加料量。

在一种可能的实现方式中,熔料部包括熔料件和第一加热件,第一加热件用于对熔料件中的原料进行加热熔融;熔料件的入料口与加料装置的出料口相对设置,熔料件的出料口与导料部的入料口相对设置。其中,熔料件的出料口位于熔料件的底部或侧壁。

在采用上述方案的情况下,由于熔料部包括了与单晶炉相独立的第一加热件,故可通过控制第一加热件,从而对熔料部中原料的熔融过程进行单独控制。基于此,可以根据熔料部中加入原料的质量的不同,对第一加热件的加热温度进行不同的控制,从而提高了本实用新型的单晶炉加料系统的可控制性。

在一种可能的实现方式中,导料部包括导料件以及设置在导料件上的第二加热件;导料件的入料口与熔料部的出料口相对设置,导料件的出料口伸入单晶炉中。其中,第二加热件为电磁感应加热件。

在采用上述方案的情况下,上述第二加热件用于对导料管中流动的熔料进行加热,以保证导料件中的熔料不会结晶,从而确保导料件中熔料具有稳定的流动性。

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