[实用新型]一种复合频率式双介质阻挡放电控制电路

权利要求书

1.一种复合频率式双介质阻挡放电控制电路，其特征在于，所述控制电路包括高频发生电路、低频发生电路、高频低频混合电路以及混频驱动输出电路，其中高频发生电路和低频发生电路通过高频低频混合电路连接混频驱动输出电路。

2.根据权利要求1所述的复合频率式双介质阻挡放电控制电路，其特征在于，高频发生电路包括信号发生器集成芯片U1；占空比调节电阻R1、R3、R5；线性调节电阻R7、R15、R13、R17、R18；频率设定电容C1，调频电阻R9以及输出上拉电阻R10；信号发生器集成芯片U1的1端口与线性调节电阻R7一端相连；线性调节电阻R7另一端与线性调节电阻R15的3端口相连；线性调节电阻R15的2端口与线性调节电阻R13一端相连，线性调节电阻R7、线性调节电阻R15与线性调节电阻R13构成了线性调节电路1，改变这些电阻值，得到不同的波形幅值；信号发生器集成芯片U1的12端口与线性调节电阻R18的3端口相连；线性调节电阻R18的1端口与线性调节电阻R17一端相连，线性调节电阻R17与线性调节电阻R18构成了线性调节电路2，线性调节电路1和线性调节电路2共同完成对输出波形的幅值调节；信号发生器集成芯片U1的4端口与占空比调节电阻R5一端相连；信号发生器集成芯片U1的5端口与占空比调节电阻R3一端相连；占空比调节电阻R3另一端、占空比调节电阻R5另一端与占空比调节电阻R1的1端口相连，构成占空比调节电路1；信号发生器集成芯片U1的7端口与调频电阻R9一端相连；调频电阻R9另一端与信号发生器集成芯片U1的8端口相连；信号发生器集成芯片U1的9端口与输出上拉电阻R10一端相连，并在该端口输出一个频率、占空比、幅值可调的方波。

3.根据权利要求2所述的复合频率式双介质阻挡放电控制电路，其特征在于，所述低频发生电路包括信号发生器集成芯片U2；占空比调节电阻R2、R4、R6；线性调节电阻R8、R16、R14、R19、R20；频率设定电容C2；调频电阻R11以及输出上拉电阻R12；信号发生器集成芯片U2的1端口与线性调节电阻R8一端相连；线性调节电阻R8另一端与线性调节电阻R16的3端口相连；线性调节电阻R16的2端口与线性调节电阻R14一端相连，线性调节电阻R8、线性调节电阻R16与线性调节电阻R14构成了线性调节电路3，改变这些电阻值，得到不同的波形幅值；信号发生器集成芯片U2的12端口与线性调节电阻R20的3端口相连；线性调节电阻R20的1端口与线性调节电阻R19一端相连，线性调节电阻R19与线性调节电阻R20构成了线性调节电路4，线性调节电路3和线性调节电路4共同完成对输出波形的幅值调节；信号发生器集成芯片U2的4端口与占空比调节电阻R6一端相连；信号发生器集成芯片U2的5端口与占空比调节电阻R4一端相连；占空比调节电阻R6另一端、占空比调节电阻R4及另一端与占空比调节电阻R2的1端口相连，构成占空比调节电路2；信号发生器集成芯片U2的7端口与调频电阻R11一端相连；调频电阻R11另一端与信号发生器集成芯片U2的8端口相连；信号发生器集成芯片U2的9端口与输出上拉电阻R12一端相连，并在该端口输出一个频率、占空比、幅值可调的方波。

4.根据权利要求3所述的复合频率式双介质阻挡放电控制电路，其特征在于，高频低频混合电路包括阻抗匹配电阻R21、R22，集成比较器模块U3A以及上拉电阻R23，高频输出方波信号连接至阻抗匹配电阻R21一端；阻抗匹配电阻R21另一端连接至集成比较器模块U3A的3端口；低频输出方波信号连接至阻抗匹配电阻R22一端；阻抗匹配电阻R22另一端连接至集成比较器模块U3A的2端口；上拉电阻R23一端连接至集成比较器模块U3A的1端口；阻抗匹配电阻R21、阻抗匹配电阻R22、集成比较器模块U3A与上拉电阻R23构成高频低频混合电路，将高频信号与低频信号按照占空比比例进行混合。

5.根据权利要求3或4所述的复合频率式双介质阻挡放电控制电路，其特征在于，所述混频驱动输出电路包括驱动电阻R24，推挽上管Q1，推挽下管Q2以及滤波电容C3，混合频率生成后与驱动电阻R24一端相连；驱动电阻R24另一端与推挽上管Q1的基极、推挽下管Q2的基极的相连；推挽上管Q1的集电极与滤波电容C3一端相连；推挽下管Q2的发射极与滤波电容C3的另一端相连；推挽上管Q1的发射极与推挽下管Q2的集电极相连，并形成混合频率的驱动输出，用于双介质阻挡电源的半导体功率管，最终形成混合频率形式的输出。