[实用新型]一种退火设备有效
申请号: | 202121770964.6 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN216084799U | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 张辉;杨晖;金贤胜 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 退火 设备 | ||
本实用新型公开了一种退火设备,所述退火设备包括用于承载超导量子芯片的承载台,所述超导量子芯片包括至少一个具有约瑟夫森结的量子比特,还包括喷气组件,用于将具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流发射至所述约瑟夫森结以实现对所述约瑟夫森结的退火处理,本实用新型提供的退火设备设置有可喷射出具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流的喷气组件,所述气流通过喷气组件喷射在约瑟夫森结上,对约瑟夫森结进行加热,从而改变量子比特的频率,本实用新型提供的退火设备采用具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流作为热源,对约瑟夫森结进行退火操作,从而实现对量子比特的频率参数进行调节的目的。
技术领域
本实用新型属于量子计算机技术领域,特别是一种退火设备。
背景技术
量子计算机是一类遵循量子力学规律进行高速数学和逻辑运算、存储及处理量子信息的物理装置,量子芯片是量子计算机的核心部件。量子芯片是以量子态的叠加效应为原理,以量子比特为信息处理的载体的处理器,量子芯片主要包含超导量子芯片、半导体量子芯片、量子点芯片、离子阱及NV(金刚石)色心等。近年来,超导量子芯片的生产加工技术有了长足的进展,超导量子芯片利用约瑟夫森结构建量子比特,一块超导量子芯片上通常包含多个量子比特。
目前,缺乏可以对超导量子芯片上的量子比特的频率进行调节的设备,以根据实际需求,调节超导量子芯片上量子比特的频率参数。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种退火设备,以解决现有技术中的不足,它提供了一种采高温气流作为热源的退火设备。
本申请的一个实施例提供了一种退火设备,包括:
用于承载超导量子芯片的承载台,所述超导量子芯片包括至少一个具有约瑟夫森结的量子比特;
喷气组件,用于将具有预设温度且与所述约瑟夫森结不发生化学反应的气流发射至所述约瑟夫森结以实现对所述约瑟夫森结的退火处理。
如上所述的退火设备,其中,所述喷气组件包括出气口,所述出气口的内径为4-20微米。
如上所述的退火设备,其中,所述退火设备还包括位于所述超导量子芯片上的硬掩模,所述硬掩模上形成有限定所述气流的直径和流向的通孔。
如上所述的退火设备,其中,所述通孔的位置与所述约瑟夫森结相对应,所述通孔的直径为10微米。
如上所述的退火设备,其中,所述气流为氮气或惰性气体。
如上所述的退火设备,其中,所述惰性气体为氩气。
如上所述的退火设备,其中,还包括电阻检测组件,所述电阻检测组件用于检测所述约瑟夫森结在常温下的电阻以确定对所述约瑟夫森结的退火处理是否达到预设目标。
如上所述的退火设备,其中,所述电阻检测组件包括两端法测试电路或四端法测试电路。
如上所述的退火设备,其中,所述承载台上设置有预热组件,用于对超导量子芯片进行预热。
与现有技术相比,本实用新型提供的退火设备设置有可喷射出具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流的喷气组件,所述气流通过喷气组件喷射在约瑟夫森结上,对约瑟夫森结进行加热,加热一段时间后,使约瑟夫森结冷却至室温,完成对约瑟夫森结的退火操作,通过对约瑟夫森结进行退火,可以改变约瑟夫森结在常温下的电阻值,由于约瑟夫森结在常温下的电阻值反映了具有该约瑟夫森结的量子比特的频率,因此对约瑟夫森结的退火操作可以改变量子比特的频率,本实用新型提供的退火设备在工作过程中,采用具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流作为热源,对约瑟夫森结进行退火操作,从而实现对量子比特的频率参数进行调节的目的。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的退火设备的立体图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造