[实用新型]一种导热硅脂定量控制装置有效
申请号: | 202121783941.9 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN215644413U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 刘兴林;何鑫;田飞 | 申请(专利权)人: | 贵阳航空电机有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/373 |
代理公司: | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550009 贵州*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导热 定量 控制 装置 | ||
本实用新型公开了一种导热硅脂定量控制装置,包括基板和顶板,基板顶端凹陷设有安装槽,安装槽内部边角安装有螺孔,安装槽内部中心安装有小筛网和大筛网。该装置结构简单,设计新颖,设计筛网定位工装,采用筛网涂装导热硅脂后,不仅厚度均匀,而且完全可以实现定量控制,保证一致性;根据IGBT基板距离安装孔位置的不同,筛网工装上的填充孔的孔径不同,IGBT基板上不同位置由于受到的安装螺钉的预紧力不同,导热硅脂受到挤压后的厚薄程度不同,引起IGBT基板与散热器之间的热阻不同,从而导致散热效果不同,通过导热硅脂填充不同孔径,间接控制导热硅脂挤压后的厚度,保证一致性和均匀性,使用方便,有效解决了现有的多数问题,具有较高的实用价值。
技术领域
本实用新型涉及导热硅脂定量控制技术领域,具体为一种导热硅脂定量控制装置。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
大功率电机驱动器中,一般采用IGBT作为逆变电路主要功率器件。由于IGBT存在大约3%~5%的功率损耗,需要采用散热器作为IGBT的热沉,对IGBT进行散热,防止IGBT的工作结温不超过最大限制温度。为降低IGBT与散热器之间的热阻,提高散热效率,一般需要在IGBT的基板上涂装导热硅脂。一般采用人工涂装的方式进行,主要存在以下问题:其一:导热硅脂涂抹不均匀,导致散热效果不佳;其二:导热硅脂难以定量控制,导致散热效果存在较大的个体差异。因此需对此做出改进,提出一种导热硅脂定量控制装置。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型一种导热硅脂定量控制装置,包括基板和顶板,所述基板顶端凹陷设有安装槽,所述安装槽内部边角安装有螺孔,所述安装槽内部中心安装有小筛网和大筛网,所述顶板通过设有螺栓固定安装在基板顶端,所述顶板底端中心固定安装有紧固块,所述紧固块设有定位卡柱和内槽。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述基板和顶板均呈矩形结构设计,且契合面均设有对称适配连接的卡扣组件。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述安装槽凹陷安装在基板顶端中心,且安装槽底壁中心设有硅脂涂刷区域。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述大筛网呈一定形状排列安装在安装槽底壁中心,所述小筛网设有两组对称安装在大筛网两侧,且大筛网网孔直径大于小筛网。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述紧固块凸出固定安装在顶板底端中心,且与安装槽位置适配对接契合,所述内槽凹陷安装在紧固块中心,且呈矩形结构设计。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述定位卡柱设有若干组排列安装在紧固块边缘,且与安装槽内壁适配固定连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述螺孔对称安装在安装槽内壁四角和紧固块边缘四角上,所述螺栓固定安装在顶板顶端上,且底部贯穿连接紧固块和安装槽上相对称的螺孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造