[实用新型]一种集成开关管的半导体芯片电路

权利要求书

1.一种集成开关管的半导体芯片电路，包括电源输入端、限流电阻、退耦电容、半导体芯片，其特征在于：

所述半导体芯片内设有具备正向导通、反向截止功能的恒流源回路，所述限流电阻与所述电源输入端电连接，所述半导体芯片具有两个引脚，所述半导体芯片的第一引脚连接于所述限流电阻以及所述恒流源回路的第一端，所述半导体芯片的第二引脚连接于所述退耦电容以及所述恒流源回路的第二端；

所述恒流源回路包括开关管以及电阻结构，所述电阻结构环绕所述开关管中部设置，所述电阻结构的一端与所述开关管的集电极电连接，所述电阻结构的另一端与所述开关管的基极电连接。

2.根据权利要求1所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述半导体芯片的第一引脚为所述开关管的集电极，所述半导体芯片的第二引脚为所述开关管的发射极。

3.根据权利要求2所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述限流电阻的第一端与所述电源输入端连接，所述限流电阻的第二端与所述开关管的集电极、电阻结构的一端电连接，所述退耦电容的第一端与所述开关管的发射极电连接，所述退耦电容的第二端接地。

4.根据权利要求1所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述半导体芯片为ASIC芯片。

5.根据权利要求1至4任一项所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述开关管为三极管，所述开关管的集电极对应三极管的集电极，所述开关管的发射极对应三极管的发射极。

6.根据权利要求1至4任一项所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述开关管为IGBT，所述开关管的集电极对应IGBT的集电极，开关管的发射极对应IGBT的发射极。

7.根据权利要求1至4任一项所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述开关管为MOSFET，所述开关管的集电极对应MOSFET的漏极，所述开关管的发射极对应MOSFET的源极。

8.根据权利要求1至4任一项所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述半导体芯片内还设有控制电路，所述控制电路包括电源端口和控制端口，所述电源端口用于接收使所述控制电路工作的工作电源，所述控制端口用于输出控制所述开关管导通的控制信号，所述电源端口和控制端口通过同一引线连接至所述开关管的基极。

9.根据权利要求1至4任一项所述的集成开关管的半导体芯片电路，其特征在于：

所述电阻结构为掺杂多晶硅电阻。