[实用新型]一种红外线射频治疗仪有效

专利信息
申请号: 202121789996.0 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN215461443U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 胡远雄;李明;苏志雄;李燃燃;李桂斌 申请(专利权)人: 深圳市亮而彩科技有限公司
主分类号: A61N1/40 分类号: A61N1/40;A61N5/06;A61H9/00
代理公司: 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 代理人: 崔新芬
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 红外线 射频 治疗
【权利要求书】:

1.一种红外线射频治疗仪,其特征在于:包括理疗仪主体;所述理疗仪主体包括主机、红外线射频治疗仪、射频RF发生装置以及韵律负气压发生装置;所述一种红外线射频治疗仪、射频RF发生装置以及韵律负气压发生装置均连接主机。

2.根据权利要求1所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述主机设置有一个以上的电源输入接口和一个以上的电源输出接口;所述一个以上的电源输入接口包括两个交流电源输入,所述一个以上的电源输入接口其中之一接有直流装换器;

所述一个以上的电源输出接口包括直流升压变压器和直流接口以及交流交流电机。

3.根据权利要求1所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述红外线射频治疗仪包括MOS功率管;所述MOS功率管一侧依次连接卤素灯和红外滤光片;所述MOS功率管另一侧分别安装有第一MCU和DCDC芯片。

4.根据权利要求3或2所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述DCDC芯片连接直流接口。

5.根据权利要求1所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述射频RF发生装置包括第二MCU;所述第二MCU一侧依次安装CPLD、高速MOS管、升压变压器、双路输出偶合电容、隔离变压器以及RF治疗头。

6.根据权利要求2或5所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述直流升压变压器连接高速MOS管。

7.根据权利要求1所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述韵律负气压发生装置包括第三MCU;所述第三MCU一侧依次连接MOS管、开关控制继电器、负气压真空泵、韵律调节电磁阀、气压调节比例阀、过滤器以及治疗头。

8.根据权利要求7或2所述的红外线射频治疗仪,其特征在于:所述开关控制继电器连接交流电机。

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