[实用新型]三维芯片和存储器

说明书

本申请实施例公开了一种三维芯片和存储器。三维芯片包括至少两个晶圆，至少两个晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接。导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构，第一导电结构与第二导电结构相邻设置，第二导电结构接地；或导电结构包括至少两个第三导电结构，至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离。本申请实施例通过第一导电结构与第二导电结构相邻设置，并且第二导电结构接地，缩短了信号的回流路径，降低信号在第一导电结构上传输时发生的串扰，或设置至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离，降低了信号在第三导电结构上传输时发生的串扰，从而提高了三维芯片的使用可靠性。

技术领域

本申请实施例涉及芯片的技术领域，尤其涉及一种三维芯片和一种存储器。

背景技术

相关技术中，晶圆之间通常通过混合键合的方式进行三维堆叠，形成三维芯片，从而提高信号在不同晶圆之间的传输效率。

但是，通过混合键合的方式堆叠晶圆，导致信号在晶圆之间传输时容易发生串扰，降低了信号在晶圆之间传输的准确性。

实用新型内容

为了解决上述技术问题中至少之一，本申请实施例提供了一种三维芯片和一种存储器。

第一方面，本申请实施例提供了一种三维芯片，包括至少两个晶圆，至少两个晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接；导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构，第一导电结构与第二导电结构相邻设置，第二导电结构接地；或导电结构包括至少两个第三导电结构，至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离。

在一种可行的实施方式中，导电结构还包括第四导电结构，第四导电结构设置在至少两个第三导电结构之间，第四导电结构接地。

在一种可行的实施方式中，导电结构还包括第四导电结构，第四导电结构与第三导电结构相邻设置，第四导电结构接地。

在一种可行的实施方式中，导电结构还包括第四导电结构，第四导电结构围绕第三导电结构设置，第四导电结构接地。

在一种可行的实施方式中，第一导电结构的数量为至少两个，至少两个第一导电结构之间的距离小于或等于预设距离。

在一种可行的实施方式中，三维芯片为方形，至少两个第三导电结构分别设置于三维芯片的对角线顶点位置；或三维芯片为圆形，至少两个第三导电结构分别设置于三维芯片的直径的顶点位置。

在一种可行的实施方式中，第一导电结构的数量为至少两个，部分第一导电结构用于传输频率大于或等于频率阈值的信号，其余部分第一导电结构用于传输频率小于频率阈值的信号，其余部分第一导电结构为除部分第一导电结构外剩余的第一导电结构；部分第三导电结构用于传输频率大于或等于频率阈值的信号，其余部分第三导电结构用于传输频率小于频率阈值的信号，其余部分第三导电结构为除部分第三导电结构外剩余的第三导电结构。

在一种可行的实施方式中，第一导电结构用于传输频率大于或等于频率阈值的信号；第三导电结构用于传输频率大于或等于频率阈值的信号。

在一种可行的实施方式中，第一导电结构包括差分导电结构，差分导电结构包括正差分导电结构和负差分导电结构，正差分导电结构与负差分导电结构相邻设置；第三导电结构包括差分导电结构，差分导电结构包括正差分导电结构和负差分导电结构，正差分导电结构与负差分导电结构相邻设置。

第二方面，本申请实施例提供了一种存储器，存储器包括上述第一方面的三维芯片。

本申请实施例有益效果如下：