[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底和依次层叠设在所述衬底上的外延层、电极层、金属结构、焊料层和热沉，所述外延层形成有至少一个电流注入区和位于所述电流注入区两侧的非电流注入区，其中，所述金属结构位于每个所述非电流注入区上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属结构的表面高出所述电流注入区的所述电极层表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电流注入区和所述非电流注入区之间形成间隔，所述电极层覆盖所述电流注入区、所述非电流注入区和所述间隔，所述电极层在所述间隔处对应形成沟槽。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属结构包括多个分别位于每个所述非电流注入区上的至少一个金属垫块。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属结构与所述电极层的接触面积小于对应所述电极层表面的面积。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极层为不同金属材料形成的多层层叠结构，至少包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层靠近所述外延层，所述第二电极层靠近所述金属结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层为银层或铂层；所述第二电极层为金层。

8.根据权利要求1或7所述的半导体器件，其特征在于，所述焊料层为锡层。