[实用新型]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置

权利要求书

1.一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，包括：

氮化镓HEMT芯片，设置在散热载片上，使所述氮化镓HEMT芯片的背面热耦合至所述散热载片，所述氮化镓HEMT芯片的正面设置有第一源极垫、第一栅极垫与第一漏极垫;

平板模封形成的第一封装胶层，形成在所述散热载片上，以密封所述氮化镓HEMT芯片，所述第一封装胶层开设有第一通孔,以显露所述第一源极垫、所述第一栅极垫与所述第一漏极垫;

扇出线路层，形成在所述第一封装胶层上,所述扇出线路层包括：通孔导通至所述第一源极垫的源极内岛、通孔导通至所述第一栅极垫的栅极线路以及通孔导通至所述第一漏极垫的漏极线路,其中,所述源极内岛形成于偏离所述氮化镓HEMT芯片的区块中,所述漏极线路的一端扇出延伸以远离所述氮化镓HEMT芯片,所述栅极线路位于所述源极内岛与所述漏极线路之间;

MOSFET芯片,设置在所述源极内岛上，使所述MOSFET芯片的背面漏极层电连接所述第一源极垫，所述MOSFET芯片的正面设置有第二源极垫与第二栅极垫;

平板模封形成的第二封装胶层,形成在所述第一封装胶层与所述扇出线路层上，以密封所述MOSFET芯片，所述第二封装胶层开设有第二通孔,以显露所述第二源极垫与所述第二栅极垫;

金属岛层,形成在所述第二封装胶层上,所述金属岛层包括：互连所述第二源极垫与所述栅极线路的源极外岛、导通至所述第二栅极垫的栅极岛以及导通至所述漏极线路扇出端的漏极岛;

随着所述栅极岛在0V关闭与5V开通所述MOSFET芯片,所述氮化镓HEMT芯片也同步关闭与同步开启。

2.根据权利要求1所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述漏极岛，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一漏极垫的关断工作电压介于100～600 V;通过所述源极外岛短接所述氮化镓HEMT芯片的所述第一栅极垫与所述MOSFET芯片的所述第二源极垫，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一栅极垫的关断与开通工作电压皆小于0 V。

3.根据权利要求2所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述栅极岛，所述MOSFET芯片在源漏关闭时，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一源极垫的电压被动抬高，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一栅极垫的≦0 V电压不足以开通所述氮化镓HEMT芯片。

4.根据权利要求1所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，所述栅极岛的关断工作电压为≦0 V，所述栅极岛的开通工作电压为3～20 V;所述MOSFET芯片内还反向设置有肖特基二极管。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，所述源极内岛相对偏离于所述氮化镓HEMT芯片且尺寸大于所述第一源极垫,并且所述源极内岛的尺寸还大于且轮廓对应所述MOSFET芯片的背面,以使所述漏极层实质结合于所述源极内岛。

6.根据权利要求5所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，所述源极外岛相对偏离且尺寸大于所述源极内岛,并且电连接所述源极外岛的所述第一封装胶层的通孔与所述第二封装胶层的通孔为直通对应,以缩短传导路径至100um以下;所述氮化镓HEMT芯片整合封装结构的封装内电阻在0.2毫欧以下。

7.一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构，包括：氮化镓HEMT芯片、封设在FOPLP封装胶层中的MOSFET芯片以及FOPLP线路结构，其特征在于，所述FOPLP线路结构包括源极内岛与源极外岛,所述源极内岛位于所述FOPLP封装胶层中,以夹层方式连接所述氮化镓HEMT芯片的源极与所述MOSFET芯片的漏极,所述源极外岛位于所述FOPLP封装胶层的一表面上,所述源极外岛短接所述氮化镓HEMT芯片的栅极与所述MOSFET芯片的源极在漏极岛与栅极岛之间。

8.根据权利要求7所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，所述栅极岛在0V关闭所述氮化镓HEMT芯片与5V开通所述氮化镓HEMT芯片。