[实用新型]一种电荷泵的软启动电路有效
申请号: | 202121862510.1 | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN215420096U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 高舰艇;宋霄;何森林;辛智敏;黄年亚 | 申请(专利权)人: | 无锡靖芯科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M3/07 |
代理公司: | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 王清伟 |
地址: | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电荷 启动 电路 | ||
本实用新型涉及集成电路技术领域,具体公开了一种电荷泵的软启动电路,包括软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路,软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路连接,软启动电路包括第一运算放大器OP1、第二运算放大器OP2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R11、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一二极管D0、第一电容C1、第四电容C11、第一互补开关S1和第二互补开关S2,一阶Dickson电荷泵电路包括振荡电路、第二二极管D1、第三二极管D2、第二电容C2、第三电容C3和负载电阻。本实用新型提供的电荷泵的软启动电路,易于控制,并易于芯片集成,芯片集成后通过外围配置单个电阻的阻值或电容的容值可配置不同的电荷泵软启动的时间,便于兼容不同的应用需求。
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,更具体地,涉及一种电荷泵的软启动电路。
背景技术
电荷泵电路是电子领域一种常见的升压电路,其输出常用来作为电源电压使用,为了保护负载器件,通常不希望该电源电压在启动时有过高的尖峰或者有很大的电压摆率,该电源电压在启动时,需要软启动电路,让其缓慢上升。
发明内容
为了解决现有技术中存在的不足,本实用新型提供了一种电荷泵的软启动电路,易于控制,并易于芯片集成,芯片集成后通过外围配置单个电阻的阻值或电容的容值可配置不同的电荷泵软启动的时间,便于兼容不同的应用需求。
作为本实用新型的第一个方面,提供一种电荷泵的软启动电路,包括软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路,所述软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路连接,所述软启动电路包括第一运算放大器OP1、第二运算放大器OP2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R11、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一二极管D0、第一电容C1、第四电容C11、第一互补开关S1以及第二互补开关S2,所述一阶Dickson电荷泵电路包括振荡电路、第二二极管D1、第三二极管D2、第二电容C2、第三电容C3以及负载电阻RL,其中,
参考电压V2接到所述第二运算放大器OP2的正输入端,所述第二运算放大器OP2的输出端接到所述第二MOS管M2的栅极,所述第二MOS管M2的源极分别接到所述第二运算放大器OP2的负输入端和所述第三电阻R11的一端,所述第三电阻R11的另一端接到电源地GND,所述第三MOS管M3的源极和第四MOS管M4的源极接在一起同时又接到电源电压VDD上,所述第三MOS管M3的栅极和第四MOS管M4的栅极接在一起同时又分别接到所述第三MOS管M3和第二MOS管M2的漏极,所述第四MOS管M4的漏极接到所述第一互补开关S1的一端,所述第一运算放大器OP1的第一负输入端接到参考电压V1,第二负输入端分别接到所述第一互补开关S1的另一端和第一二极管D0的阳极,所述第一二极管D0的阴极分别接到所述第二互补开关S2的一端和电容C11的一端,所述第二互补开关S2的另一端和电容C11的另一端接在一起同时又接到电源地GND,所述第一运算放大器OP1的输出端接到所述第一MOS管M1的栅极,所述第一MOS管M1的源极接到所述电源电压VDD,第一MOS管M1的漏极分别接到所述软启动电路的输出端、第一电阻R1的一端和第一电容C1的一端,第一电阻R1的另一端分别接到所述第一运算放大器OP1的正输入端和所述第二电阻R2的一端,所述第二电阻R2的另一端和第一电容C1的另一端接在一起同时又接到所述电源地GND;
所述软启动电路的输出端接到所述振荡电路的输入端,所述振荡电路的第一电源端和第二电源端分别对应接到所述电源电压VDD和电源地GND,所述振荡电路的输出端接到所述第二电容C2的一端,所述第二电容C2的另一端分别接到所述第二二极管D1的阴极和第三二极管D2的阳极,所述第二二极管D1的阳极接到所述电源电压VDD,所述第三二极管D2的阴极分别接到所述第三电容C3的一端、负载电阻RL的一端以及所述电荷泵的软启动电路的输出电压Vout,所述第三电容C3的另一端和负载电阻RL的另一端接在一起同时又接到所述电源地GND。
进一步地,所述第一MOS管M1、第三MOS管M3以及第四MOS管M4均为PMOS管。
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