[实用新型]多锰铜三相预付费导轨表结构

权利要求书

1.一种多锰铜三相预付费导轨表结构，包括主控芯片，其特征在于，所述导轨表结构包括三相锰铜电流采样电路、隔离传感器电路和脉冲变压器，每相中，所述锰铜电流采样电路通过隔离传感器电路与脉冲变压器连接，所述隔离传感器电路通过脉冲电压器与主控芯片连接。

2.根据权利要求1所述的多锰铜三相预付费导轨表结构，其特征在于，所述锰铜电流采样电路包括锰铜采样电阻MT1、电感L1、电感L2、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电容C1的正端与MT1连接，所述电容C1的负端接地，所述电容C2的正端与MT1连接，所述电容的C2的负端接地，所述电感L1的正端与电容C1的正端并连，所述电感L1的负端通过电阻R1接地，所述电感L2的正端与电容C2的正端并连，所述电感L2的负端通过电阻R2接地，所述电容C3的正端与电感L1的负端并连，所述电容C3的负端接地，所述电容C4的正端与电感L2的负端并连，所述电容C4的负端接地，所述电容C3、电容C4的正端分别与隔离传感器电路连接。

3.根据权利要求2所述的多锰铜三相预付费导轨表结构，其特征在于，所述隔离传感器电路包括型号为71M6103的隔离传感器芯片U1、电容C5、电容C6，所述电容C3、电容C4的正端分别与隔离传感器芯片U1的6号引脚和7号引脚连接，所述隔离传感器芯片U1的4号引脚和8号引脚接地，所述隔离传感器芯片U1的1号引脚与C5的正端连接，所述电容C5的负端接地，所述电容C6的正端与电容C5的负端并连，所述电容C6的负端接地，所述隔离传感器芯片U1的2号引脚和3号引脚与脉冲变压器的1号引脚和2号引脚连接，所述脉冲变压器的3号引脚和4号引脚与主控芯片59号引脚和60号引脚连接。

4.根据权利要求3所述的多锰铜三相预付费导轨表结构，其特征在于，所述导轨表结构包括485通讯电路，所述485通讯电路包括型号为Max13085的通讯芯片U33、光耦器U31、光耦器U32、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电容C31、隔离电容C14、电阻R38、电阻R39，所述电阻R31连接在光耦器U31的1号引脚上，所述电阻R33连接在光耦器U31的4号引脚上，所述光耦器U31的3号引脚与通讯芯片U33的5号引脚连接，所述光耦器U31的4号引脚并接在通讯芯片U33的4号引脚上，所述主控芯片的型号为MAX71334C，所述光耦器U31的2号引脚与主控芯片的56号引脚连接，

所述电阻R32连接在光耦器U32的4号引脚上，所述电容C31与电阻R32的正极并联，所述电容C31的负极接地，所述电阻R34与光耦器U32的1号引脚连接，所述光耦器U32的3号引脚接地，所述光耦器U32的2号引脚与通讯芯片U33的1号引脚连接，所述通讯芯片U33的8号引脚分别与光耦器U31、光耦器U32的4号引脚和1号引脚连接，

所述隔离电容C14的正极与电阻R38负端连接，所述隔离电容C14的负极与电阻R39负端连接，所述电阻R38、电阻R39的正端与通讯芯片U33的6号引脚、7号引脚连接，所述隔离电容C14的正极并接在通讯芯片U33的8号引脚上，所述隔离电容C14的负极并连接在通讯芯片U33的5号引脚上。

5.根据权利要求1所述的多锰铜三相预付费导轨表结构，其特征在于，所述导轨表结构包括NB-IOT无线通讯模块，所述NB-IOT无线通讯模块包括型号为STM32F030C8T6的接收控制芯片U11、型号为LSD4NBN-LB5000002的NB-IOT芯片U22，所述接收控制芯片U11的12号引脚与主控芯片的41号引脚连接，所述接收控制芯片U11的13号引脚与主控芯片的42号引脚连接，所述接收控制芯片U11的31号引脚与NB-IOT芯片U22的26引脚连接，所述接收控制芯片U11的30号引脚与NB-IOT芯片U22的25引脚连接。