[实用新型]一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊

说明书

本实用新型公开了一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体和筒体，所述筒体外周壁上设有由若干个密布碎磁格组成的碎磁部，所述碎磁格包括凹陷的第一单元格和凹陷的第二单元格，所述第一单元格由第一凸条围合而成，所述第二单元格由第一凸条与第二凸条围合而成，所述碎磁格呈正六边形。本实用新型提供的屏蔽片碎磁辊具有双层正六边形碎磁格，经过本屏蔽片碎磁辊滚压后能够将隔磁片分割成更小的规则单元格，可有效减小涡流损耗，同时电磁波于两个六边形之间可多次反射传导，多余的电磁波或传导至电子器件外部或于两六边形之间被慢慢吸收，使屏蔽片的屏蔽效果得到提高，本碎磁辊制得的屏蔽片具有低厚度、屏蔽效果高、充电效率高的特点。

技术领域

本实用新型涉及屏蔽片加工技术领域，特别是一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊。

背景技术

随着科学技术的发展，手机也随之由按键型变成智能型，人们对智能手机技术要求越来越高，无线充电功能可应用于智能手机上，无线充电技术是指不通过物理连接实现充电功能，为手机或蓝牙耳机等小功率电子元件充电，目前的无线充电主要通过电感耦合方式实现，一般的无线充电模组主要包括屏蔽片和充电线圈等，电子设备运行时会产生磁场，磁场会通过屏蔽片的导通屏蔽，起到隔磁的效果，在磁场的变化过程中，会于隔磁片中产生涡流，最后变成热量散发。

例如，专利号为202021343327.6的中国实用新型专利所公开的一种屏蔽片碎磁压花辊，包括本体，所述本体上设有压花区，所述压花区包括密集排布的凹陷的多个单元格，所述单元格呈六边形。

虽然通过上述屏蔽片碎磁压花辊碎磁的纳米晶片损耗更低、抗直流偏置特性良好，但不能满足低厚度需求，同时抗饱和性能也较小，充电效率较低。

实用新型内容

本实用新型需要解决的技术问题是提供一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，使用这种碎磁辊碎磁的屏蔽片具有低厚度、屏蔽效果高、充电效率高的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体和筒体，所述筒体外周壁上设有由若干个密布碎磁格组成的碎磁部，所述碎磁格包括凹陷的第一单元格和凹陷的第二单元格，所述第一单元格由第一凸条围合而成，所述第二单元格由第一凸条与第二凸条围合而成，所述碎磁格呈正六边形。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格为规则图形，所述第二单元格的边缘形状为正六边形。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格为正六边形或圆形。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格为正六边形。

作为本实用新型进一步的方案，所述碎磁格呈蜂窝状。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格的边长为0.3mm-18mm，所述第二单元格的边长为0.5mm-20mm。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格和第二单元格的高度相等。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一单元格和第二单元格通过雕刻成型。

作为本实用新型进一步的方案，所述第一凸条与第二凸条的间距为0.5mm-5mm。

作为本实用新型进一步的方案，第一凸条与第二凸条的间距为1mm-2mm。

由于本实用新型采用如上技术方案，本实用新型具有的优点和积极效果是：本屏蔽片碎磁辊具有双层正六边形碎磁格，经过本屏蔽片碎磁辊滚压后能够将隔磁片分割成更小的规则单元格，可以有效减小涡流损耗，同时电磁波于两个六边形之间可以多次反射传导，多余的电磁波或传导至电子器件外部或于两六边形之间被慢慢吸收，使屏蔽片的屏蔽效果得到显著提高，减少磁场对内部电子器件的影响，屏蔽性能的提升。

附图说明