[实用新型]一种新型六相电荷泵电路结构有效

专利信息
申请号: 202121884031.X 申请日: 2021-08-12
公开(公告)号: CN216531079U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 赵洪飞;张福泉;王国瑞;汪金铭;王圣礼 申请(专利权)人: 上海旻森电子科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京众允专利代理有限公司 11803 代理人: 沈小青
地址: 200120 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 电荷 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种新型六相电荷泵电路结构,包括PUMP_REG电路模块(1),其特征在于:所述PUMP_REG电路模块(1)的输入端设有PUMP_STG电路模块(2),所述PUMP_STG电路模块(2)的输入端设有六相非交叠时钟电路模块(3)。

2.根据权利要求1所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PUMP_STG电路模块(2)包括NM1晶体管、NM2晶体管、PM1晶体管以及PM2晶体管,NM1晶体管的源端以及NM2晶体管的源端均接入转换输出电压,所述NM1晶体管的漏端与PM1晶体管的漏端电性连接,NM2晶体管的漏端与PM2晶体管的漏端电性连接,所述NM1晶体管的栅端与PM2晶体管的栅端电性连接,所述NM2晶体管的栅端与PM1晶体管的栅端电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PM1晶体管的输出端设有NM3晶体管、PM4晶体管以及NM4晶体管,所述PM2晶体管的输出端设有PM6晶体管、NM6晶体管以及PM8晶体管,且所述NM3晶体管的源端、PM4晶体管的漏端以及NM4晶体管的源端均与PM1晶体管的源端连接,所述PM6晶体管的漏端、NM6晶体管的源端以及PM8晶体管的源端均与PM2晶体管的源端电性连接,所述PM4晶体管的栅端以及NM4晶体管的栅端连接,所述PM6晶体管的栅端以及NM6晶体管的栅端连接。

4.根据权利要求3所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述NM3晶体管的输出端设有PM3晶体管,所述PM4晶体管的输出端设有PM5晶体管,所述NM4晶体管的输出端设有NM5晶体管,且所述PM3晶体管的漏端与NM3晶体管的漏端连接,所述PM5晶体管的漏端与PM4晶体管的源端连接,所述NM5晶体管的源端与NM4晶体管的漏端连接,所述PM4晶体管的栅端与NM4晶体管的栅端连接,所述PM5晶体管的栅端与NM5晶体管的栅端连接。

5.根据权利要求3所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PM6晶体管的输出端设有PM7晶体管,所述NM6晶体管的输出端设有NM7晶体管,所述PM8晶体管的输出端设有NM8晶体管,且所述PM7晶体管的漏端与PM6晶体管的源端连接,所述NM7晶体管的源端与NM6晶体管的漏端电性连接,所述NM8晶体管的漏端与PM8晶体管的漏端电性连接,所述PM6晶体管的栅端与NM6晶体管的栅端连接,所述PM7晶体管的栅端与NM7晶体管的栅端连接。

6.根据权利要求4或5所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PM3晶体管的源端、PM5晶体管的源端、NM5晶体管的漏端、PM7晶体管的源端、NM7晶体管的漏端、NM8晶体管的源端均输入低电压域电压信号。

7.根据权利要求1所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PUMP_STG电路模块(2)还包括PM9晶体管、PM10晶体管、NM10晶体管、PM12晶体管、NM12晶体管以及NM14晶体管,且所述PM10晶体管的栅端与NM10晶体管的栅端连接,所述PM12晶体管的栅端与NM12晶体管的栅端连接,所述PM9晶体管的源端、PM10晶体管的源端、NM10晶体管的漏端、PM12晶体管的源端、NM12晶体管漏端以及NM14晶体管的源端均接入转换输出电压。

8.根据权利要求7所述的一种新型六相电荷泵电路结构,其特征在于:所述PM9晶体管的输出端设有NM9晶体管,所述PM10晶体管的输出端设有PM11晶体管,所述NM10晶体管的输出端设有NM11晶体管,所述PM12晶体管的输出端设有PM13晶体管,所述NM12晶体管的输出端设有NM13晶体管,所述NM14晶体管的输出端设有PM14晶体管,所述PM9晶体管的漏端与NM9晶体管的漏端连接,所述PM10晶体管的漏端与PM11晶体管的源端连接,所述NM10晶体管的源端与NM11晶体管的漏端连接,所述NM13晶体管的源端与PM12晶体管的漏端连接,所述NM12晶体管的源端与NM13晶体管的漏端连接,所述NM14晶体管的漏端与PM14晶体管的漏端连接。

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