[实用新型]硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构及装置

权利要求书

1.一种硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构包括：衬底、第一电极层、压电材料层和第二电极层；所述衬底为开口空腔结构，所述第一电极层、所述压电材料层和所述第二电极层的形状均为“T”形结构，且“T”形结构的所述第一电极层的短端与所述开口空腔结构的开口位置的边缘连接，所述压电材料层设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层设置在所述压电材料层远离所述第一电极层的一侧，且所述第一电极层、所述压电材料层和所述第二电极层均与水平面平行，且在水平面上的投影均相同。

2.根据权利要求1所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括第三电极层、第二压电材料层和第四电极层，所述第三电极层与所述开口空腔结构的开口位置的边缘连接，所述第二压电材料层和所述第四电极层依次设置在所述第四电极层远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括第五电极层和第三压电材料层，所述第三压电材料层设置在所述第二电极层远离所述压电材料层的一侧，所述第三电极层设置在所述第三压电材料层远离所述第二电极层的一侧。

4.根据权利要求3所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括支撑层，所述支撑层设置在所述衬底远离所述第一电极层的一侧。

5.根据权利要求4所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括硅层，所述硅层设置在第一电极层远离压电层的一侧。

6.根据权利要求5所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括氧化硅部与器件层硅部，所述氧化硅部设置在衬底靠近第一电极层的一侧，所述硅部放置在氧化硅部远离衬底硅的一侧同时位于第一电极层远离第一压电层的一侧。

7.一种硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的装置，其特征在于，所述装置包括数模转化装置和权利要求1-6任意一项所述的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，所述数模转化装置的正负极分别与所述结构的第一电极层和第二电极层电连接，用于将所述第一电极层和所述第二电极层输出的电压信号转化为数字信号。