[实用新型]一种PT对称Octonacci序列光子多层结构有效
申请号: | 202121910010.0 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN216144973U | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 张亚平 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02F1/01 |
代理公司: | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人: | 刘喜 |
地址: | 437100 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pt 对称 octonacci 序列 光子 多层 结构 | ||
1.一种PT对称Octonacci序列光子多层结构,其特征在于,包括关于中心呈PT对称的两个Octonacci序列光子多层,Octonacci序列在数学上是一种准周期序列,其迭代规则为:当N=1时,S1=A;当N=2时,S2=B;当N≥3时,SN=SN-1SN-2SN-1,其中下标N为序列的序数;满足Octonacci序列的光子多层中的字母A和B代表两种折射率不等的均匀电介质薄片;
PT对称Octonacci序列光子多层的中心点左侧的第一电介质层A和第二电介质层B分别称之为第一损耗电介质层和第二增益电介质层,中心点右侧的第一电介质层B'和第二电介质层A'分别称之为第二损耗电介质层和第一增益电介质层,na=nA+0.01qi,na'=nA-0.01qi,nb=nB-0.01qi,nb'=nB+0.01qi,其中i为虚数单位,q为增益-损耗因子,nA为第一电介质层折射率的实部,nB为第二电介质层折射率的实部,na是第一损耗电介质层(A)的折射率,nb是第二增益电介质层(B)的折射率,na'是第一增益电介质层(A')的折射率,nb'是第二损耗电介质层(B')的折射率;
第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自的1/4光学波长;整个PT对称Octonacci序列光子多层结构的材料折射率关于中心原点满足对称性n(z)=n*(-z),其中z为位置坐标,符号*表示求复共轭,即折射率实部关于结构中心点呈偶对称分布,折射率虚部关于结构中心点呈奇对称分布。
2.根据权利要求1所述一种PT对称Octonacci序列光子多层结构,其特征在于,所述第一电介质层的基质材料为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述一种PT对称Octonacci序列光子多层结构,其特征在于,所述第二电介质层的基质材料为硅。
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