[实用新型]基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置有效

专利信息
申请号: 202121924808.0 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN215440756U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 沈恒文;金修领;郝小峰;吉双平;刘彤辉;程宣林 申请(专利权)人: 江苏艾匹克半导体设备有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B28/12
代理公司: 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 代理人: 陆婉
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 离子 注入 单片 外延 炉温 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,包括外延炉本体,所述外延炉本体的底部设置有大盘,所述大盘内部设置有温度控制装置,其特征在于,所述温度控制装置与大盘之间设置有卡扣组件,所述卡扣组件的底部与大盘的底壁相抵且二者之间固定连接,所述卡扣组件设置有若干个且均匀分布在大盘内,所述温度控制装置的本体插入到卡扣组件内且与卡扣组件之间可拆卸连接。

2.根据权利要求1所述的基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,其特征在于,所述卡扣组件包括底板,所述底板平行且固定设置在大盘的底壁上,所述底板的顶部一体设置有卡扣,所述温度控制装置位于卡扣内。

3.根据权利要求2所述的基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,其特征在于,所述底板呈弧形,所述卡扣包括一体成型的第一板体和第二板体,所述第一板体和第二板体的结构相同且二者对称设置。

4.根据权利要求3所述的基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,其特征在于,所述第一板体底部的前侧和第二板体的底部的后侧分别与底板的前后两侧平齐。

5.根据权利要求4所述的基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,其特征在于,所述第一板体和第二板体顶部之间的间隙与第一板体和第二板体底部之间的间隙相同,所述第一板体和第二板体中部之间的间隙小于第一板体和第二板体顶部之间的间隙。

6.根据权利要求5所述的基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,其特征在于,所述卡扣设置有两个且二者之间间隔设置,所述温度控制装置位于第一板体和第二板体底部之间的间隙内。

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