[实用新型]一种碳化硅MPS二极管结构有效
| 申请号： | 202121941689.X | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN215527735U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 北京利宝生科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mps 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅MPS二极管结构，其特征在于：所述MPS二极管上设有有源区域和外围区域；
所述MPS二极管包括SiC基板以及设置在SiC基板上的N-型SiC外延层，在SiC外延层上端形成有多个多晶SiC层，在SiC外延层上部形成有多个与多晶SiC层对应的P型结，位于有源区域的P型结为P型网格，位于外围区域的P型结为P型防护结，P型网格和P型防护结是透过多晶SiC层中的P型掺杂质扩散渗入外延层形成；
在SiC外延层和多晶SiC层上设有绝缘膜，该绝缘膜位于外围区域；在有源区域和相邻外围区域的部分区域上设有阳极金属，该阳极金属与SiC外延层具有肖特基接触特性、与多晶SiC层具有欧姆接触特性。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MPS二极管结构，其特征在于：所述SiC基板为N型SiC基板或P型SiC基板，所述SiC外延层为N型SiC外延层或P型SiC外延层。
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