[实用新型]基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件有效
| 申请号： | 202121948782.3 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN216054743U | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 曹荣根 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/10;H01L31/032;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 二维 zrnbr zrncl 面内异质结 光电 器件 | ||
【权利要求书】：
1. 一种基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件，其特征在于，包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl 面内异质结、第一电极和第二电极；其中：
所述的面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；
所述的第一电极和第二电极分别位于ZrNBr/ZrNCl 面内异质结表面上的两端，或者第一电极和第二电极分别位于ZrNBr/ZrNCl面内异质结中的两端，或者第一电极和第二电极分别位于绝缘衬底的两端，并且第一电极、第二电极与ZrNBr/ZrNCl 面内异质结的界面为绝缘衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的光电池器件，其特征在于，所述光电池器件还包括防反射膜，所述防反射膜位于所述面内异质结的表面上。
3.根据权利要求1所述的光电池器件，其特征在于，所述面内异质结的厚度小于50nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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