[实用新型]一种老化测试仪电路结构

权利要求书

1.一种老化测试仪电路结构，其特征在于，其包括功率计电路、输入电路及负载调节电路，所述输入电路与功率计电路电连接，所述功率计电路与负载调节电路连接；所述功率计电路用于测量实时电流和电压；所述负载调节电路用于提供不同的负载组合并提供相应开关进行调节；所述输入电路为有线输入电路；或者所述输入电路为无线输入电路，所述无线输入电路包括有电流选择开关和/或电压选择开关。

2.如权利要求1所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述功率计电路包括第一主控芯片、电压采样电路及电流采样电路，所述电流采样电路串联于功率计电路的输入端和输出端，所述第一主控芯片连接电流采样电路，所述第一主控芯片通过电压采样电路连接功率计电路的输入端。

3.如权利要求2所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述功率计电路还包括定时控制开关及定时控制输出端口，所述第一主控芯片分别连接定时控制开关及定时控制输出端口。

4.如权利要求2所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述功率计电路还包括功能选择开关、蜂鸣器和LED显示模组，所述第一主控芯片分别连接功能选择开关、蜂鸣器和LED显示模组。

5.如权利要求1所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述无线输入电路还包括第二主控芯片及无线接收线圈，所述第二主控芯片分别连接无线接收线圈及电流选择开关和/或电压选择开关。

6.如权利要求1所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述负载调节电路包括带寄生二极管的N沟道MOS管NQ2、开关SKR1和开关SKR2，所述负载调节电路的VBUS端连接开关SKR1的一个静触点，所述负载调节电路的VBUS端通过串联的电阻RD1和灯珠RLD1连接开关SKR1的另一个静触点，所述负载调节电路的VBUS端通过电阻RL1连接开关SKR1的动触点，所述开关SKR1的动触点连接电阻RL0一端，电阻RL0另一端连接MOS管NQ2的漏极；所述负载调节电路的VBUS端通过电阻RL2连接开关SKR2的一个静触点，所述负载调节电路的VBUS端通过串联的电阻RL2、电阻RD2和灯珠RLD2连接开关SKR2的另一个静触点，开关SKR2动触点连接MOS管NQ2的漏极；所述负载调节电路的VBUS端通过电阻RM1连接MOS管NQ2的门极，所述负载调节电路的VBUS端通过电阻RM1及并联的电阻RM2、电容CM1连接MOS管NQ2的源极，MOS管NQ2的源极接地。

7.如权利要求1所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述负载调节电路包括带寄生二极管的P沟道MOS管PQ1、开关SKR1和开关SKR2，所述MOS管PQ1的漏极连接开关SKR1的一个静触点，所述MOS管PQ1的漏极通过串联的电阻RD1和灯珠RLD1连接开关SKR1的另一个静触点，所述MOS管PQ1的漏极通过电阻RL1连接开关SKR1的动触点，所述开关SKR1的动触点连接电阻RL0一端，电阻RL0另一端接地；所述MOS管PQ1的漏极通过电阻RL2连接开关SKR2的一个静触点，所述MOS管PQ1的漏极通过串联的电阻RL2、电阻RD2和灯珠RLD2连接开关SKR2的另一个静触点，开关SKR2动触点接地；所述负载调节电路的VBUS端连接MOS管PQ1的源极，所述负载调节电路的VBUS端通过并联的电阻RM2、电容CM1连接MOS管PQ1的门极，MOS管PQ1的门极通过电阻RM1接地。

8.如权利要求6或7所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，所述开关SKR1和开关SKR2均为单刀双掷开关。

9.如权利要求1所述的一种老化测试仪电路结构，其特征在于，还包括散热风扇，所述散热风扇与功率计电路连接。