[实用新型]一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置

权利要求书

1.一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：包括：

一重发天线；

一介质双工器，与所述重发天线连接；

一下行信号放大模块，与所述介质双工器连接；

一上行信号放大模块，与所述介质双工器连接；

一单片机，分别与所述下行信号放大模块以及上行信号放大模块连接；

一定向耦合器，一端与所述下行信号放大模块连接，另一端与所述单片机连接；

一电源模块，与所述单片机连接。

2.如权利要求1所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：所述下行信号放大模块包括：

一下行射频接口；

一第一声表面滤波器，与所述下行射频接口连接；

一第一增益温度补偿电路，与所述第一声表面滤波器以及单片机连接；

一第一自动增益控制器，与所述第一增益温度补偿电路以及单片机连接；

一第一放大器，与所述第一自动增益控制器连接；

一第二声表面滤波器，与所述第一放大器连接；

一第三声表面滤波器，与所述第二声表面滤波器连接；

一推动放大器，与所述第三声表面滤波器连接；

一功率放大器，一端与所述推动放大器连接，另一端与所述定向耦合器连接；

一隔离器，一端与所述功率放大器连接，另一端与所述介质双工器连接。

3.如权利要求2所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：所述第一声表面滤波器、第二声表面滤波器以及第三声表面滤波器均通过半导体工艺在压电基片上蚀刻薄膜金属叉指换能器。

4.如权利要求1所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：所述上行信号放大模块包括：

一上行射频接口；

一第二放大器，与所述上行射频接口连接；

一第二增益温度补偿电路，与所述第二放大器以及单片机连接；

一第二自动增益控制器，与所述第二增益温度补偿电路以及单片机连接；

一第四声表面滤波器，与所述第二自动增益控制器连接；

一第五声表面滤波器，与所述第四声表面滤波器连接；

一第一低噪声放大器，与所述第五声表面滤波器连接；

一第六声表面滤波器，与所述第一低噪声放大器连接；

一第二低噪声放大器，一端与所述第六声表面滤波器连接，另一端与所述介质双工器连接。

5.如权利要求4所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：所述第四声表面滤波器、第五声表面滤波器以及第六声表面滤波器均通过半导体工艺在压电基片上蚀刻薄膜金属叉指换能器。

6.如权利要求1所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：还包括：

至少一RS485接口，与所述单片机连接。

7.如权利要求1所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：还包括：

至少一温度传感器，与所述单片机连接。

8.如权利要求1所述的一种高抑制功放低噪的无线信号放大装置，其特征在于：所述介质双工器采用介电常数高于SiO2的材料制成。