[实用新型]集成有驱动芯片的功率半导体器件

权利要求书

1.一种集成有驱动芯片的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件中包括：第一金属基板、第二金属基板、位于所述第一金属基板上的P型金氧半场效晶体管和N型金氧半场效晶体管、位于所述第二金属基板上的驱动芯片、七个引脚，所述七个引脚包括第一输入引脚、第二输入引脚、线性稳压引脚、输出引脚、母线电压引脚、第一接地引脚和第二接地引脚；

所述第一金属基板与所述输出引脚相连，所述第二金属基板分别与所述第一接地引脚和所述第二接地引脚相连；所述驱动芯片中的多个金属焊盘分别与所述第一输入引脚、所述第二输入引脚、所述线性稳压引脚、所述母线电压引脚、所述第二金属基板、所述P型金氧半场效晶体管的第一栅极和所述N型金氧半场效晶体管的第二栅极相连；

当所述功率半导体器件与微控制器相连时，所述功率半导体器件通过所述母线电压引脚获取电源电压，通过所述第一输入引脚接收所述微控制器输入的第一电信号，通过所述第二输入引脚接收所述微控制器输入的第二电信号，通过所述线性稳压引脚向所述微控制器提供电源电压，通过所述驱动芯片、所述P型金氧半场效晶体管和所述N型金氧半场效晶体管对所述第一电信号和所述第二电信号进行处理后，通过所述输出引脚向负载输出功率。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，

所述P型金氧半场效晶体管的第一漏极通过导电胶连接方式、金属线连接方式和金属框架连接方式中的至少一种与所述第一金属基板相连；

所述P型金氧半场效晶体管的第一源极通过金属线连接方式与所述母线电压引脚相连；

所述P型金氧半场效晶体管的第一栅极通过金属线连接方式与所述驱动芯片的第一金属焊盘相连。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，

所述N型金氧半场效晶体管的第二漏极通过导电胶连接方式、金属线连接方式和金属框架连接方式中的至少一种与所述第一金属基板相连；

所述N型金氧半场效晶体管的第二源极通过金属线连接方式与所述第一接地引脚相连；

所述N型金氧半场效晶体管的第二栅极通过金属线连接方式与所述驱动芯片的第二金属焊盘相连。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，

所述第一金属基板通过金属框架连接方式或者金属线连接方式与所述输出引脚相连；

所述第二金属基板通过以下三种连接方式中的任意两种组合分别与所述第一接地引脚和所述第二接地引脚相连，所述三种连接方式包括：金属框架连接方式、金属线连接方式、金属线经过N型金氧半场效晶体管中的第二源极跨接的连接方式。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述驱动芯片中包括低压差线性稳压器、欠压保护模块和过温保护模块、死区时间和直通保护模块、第一噪声过滤模块、第二噪声过滤模块、第一驱动电压转换模块和第二驱动电压转换模块；

所述低压差线性稳压器的输入端和所述欠压保护模块的输入端通过所述驱动芯片的第三金属焊盘与所述母线电压引脚相连；

所述欠压保护模块的输出端与所述过温保护模块的输入端相连；

所述低压差线性稳压器的输出端和所述过温保护模块的输出端通过所述驱动芯片的第四金属焊盘与所述线性稳压引脚相连；

所述死区时间和直通保护模块的第一输入端通过所述驱动芯片的第五金属焊盘与所述第一输入引脚相连；

所述死区时间和直通保护模块的第二输入端通过所述驱动芯片的第六金属焊盘与所述第二输入引脚相连；

所述死区时间和直通保护模块的第一输出端与所述第一噪声过滤模块的输入端相连，所述第一噪声过滤模块的输出端与所述第一驱动电压转换模块的输入端相连，所述第一驱动电压转换模块的输出端通过所述驱动芯片的第一金属焊盘与所述P型金氧半场效晶体管的第一栅极相连；

所述死区时间和直通保护模块的第二输出端与所述第二噪声过滤模块的输入端相连，所述第二噪声过滤模块的输出端与所述第二驱动电压转换模块的输入端相连，所述第二驱动电压转换模块的输出端通过所述驱动芯片的第二金属焊盘与所述N型金氧半场效晶体管的第二栅极相连。