[实用新型]钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池和钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括：

钙钛矿层；

电子传输层，所述电子传输层为有机化合物层，所述电子传输层设置在所述钙钛矿层上；和

透明电极层，所述透明电极层设置在所述电子传输层上，所述透明电极层为反应等离子体沉积层，所述透明电极层和所述电子传输层直接接触。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的材质为富勒烯、PCBM、BCP和PEIE中的一种或多种的组合，电子传输层的厚度为10nm-20nm。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述透明电极层为透明导电氧化物薄膜。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述透明电极层的材质为ITO、IZO、AZO、IWO和ICO中的一种或多种的组合，所述透明电极层的厚度为40nm-120nm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，进一步包括减反膜，所述减反膜设置在所述钙钛矿层上。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，进一步包括钙钛矿界面修饰层，所述钙钛矿界面修饰层设置在所述钙钛矿层上，所述电子传输层设置在所述钙钛矿界面修饰层上。

7.根据权利要求1-4中任一项所述钙钛矿太阳能电池，其特征在于，进一步包括：

抗反射层，所述抗反射层设置在所述透明电极层上；和

金属栅线电极，所述金属栅线电极设置在所述抗反射层上。

8.一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，其特征在于，包括：

硅异质结电池；和

钙钛矿电池，所述钙钛矿电池设置在所述硅异质结电池上，所述钙钛矿电池为根据权利要求1-7中任一项所述的钙钛矿太阳能电池。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，进一步包括隧穿结，所述隧穿结设置在所述硅异质结电池上，所述钙钛矿电池设置在所述隧穿结上，以便所述硅异质结电池与所述钙钛矿电池串联。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，所述隧穿结的厚度为10nm-100nm。