[实用新型]电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置有效
申请号: | 202121992015.2 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN215743355U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 贺玉刚;常欣;王芳;万烨;赵雄;孙强;赵喜哲;李圆晓 | 申请(专利权)人: | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | B01J19/00 | 分类号: | B01J19/00;B01J4/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张美月 |
地址: | 471023 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 二甲 氨基 硅烷 合成 装置 | ||
1.一种电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置包括:
原料预混合装置(100),所述原料预混合装置(100)设置有氯接收剂入口(101)、氯化二甲氨入口(102)、溶剂入口(103)和混合液出口(104),所述原料预混合装置(100)为搅拌器或静态混合装置;
反应单元(200),所述反应单元(200)设置有三氯氢硅入口(211)、惰性气氛入口(212)、混合液入口(213)和粗产品出口(214),所述混合液入口(213)与所述混合液出口(104)连通设置;
加压装置(300),所述加压装置(300)用于调节所述反应单元(200)中的压力;及
纯化单元(400),所述纯化单元(400)设置有纯化入口和排料口,所述纯化入口与所述粗产品出口(214)通过粗产品输送管路连通设置。
2.根据权利要求1所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述反应单元(200)包括:
反应装置(210),所述反应装置(210)设置有所述混合液入口(213)、所述三氯氢硅入口(211)和合成产物出口;
精馏装置(220),所述精馏装置(220)设置蒸馏入口(221)、塔顶产物出口(222)和所述粗产品出口(214),所述蒸馏入口(221)与所述合成产物出口连通设置。
3.根据权利要求1或2所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述纯化单元(400)包括:
络合装置(410),所述络合装置(410)设置有金属络合剂入口、所述纯化入口和络合产物出口,所述纯化入口与所述粗产品出口(214)连通;及
除杂装置(420),所述除杂装置(420)设置有过滤入口和电子级三(二甲氨基)硅烷出口,所述过滤入口与所述络合产物出口通过络合产物输送管路连通。
4.根据权利要求3所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述络合装置(410)的内部设置有金属络合剂层(411),所述金属络合剂层(411)选自有机磷酸盐层、氨基羟酸层或羟氨基羟酸层。
5.根据权利要求4所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述有机磷酸盐层选自乙二胺四甲叉膦酸钠层、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐层或氨基三甲叉膦酸盐层;
所述氨基羟酸层选自氮川三乙酸钠层、乙二胺四醋酸层、乙二胺四醋酸盐层、二乙烯三胺五醋酸或二乙烯三胺五醋酸盐层;
所述羟氨基羟酸层选自羟乙二胺四醋酸层、乙二醇双(β-二氨基乙基)乙醚-N,N,N’,N’四醋酸层或二羟基甘氨酸层。
6.根据权利要求5所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述纯化单元(400)还包括:
重沸装置(430),所述重沸装置(430)设置有重沸入口和重沸气出口,所述重沸入口与所述络合产物出口连通;及
吸附装置(440),所述吸附装置(440)设置有重沸气入口和气相产物出口,所述重沸气入口与所述重沸气出口连通,所述气相产物出口与所述过滤入口通过气相产物输送管路连通。
7.根据权利要求6所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述纯化单元(400)还包括亚沸精馏装置(450),所述亚沸精馏装置(450)设置在所述气相产物输送管路上。
8.根据权利要求2所述的电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置,其特征在于,所述电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置还包括:固渣过滤装置(230)和输送装置(240),沿物料的流动方向,所述固渣过滤装置(230)和所述输送装置(240)依次设置在所述反应装置(210)与所述精馏装置(220)之间的粗产品输送管路上。
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