[实用新型]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

衬底；

多条位线，设置在所述衬底上并延伸于第一方向上，所述位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，所述第二位线设置在所有的所述第一位线的一侧；以及

多个绝缘结构，设置在所述衬底上并与所述位线交错，所述绝缘结构包含多个绝缘端部以及延伸于第二方向上的多个绝缘鳍片，所述第二方向垂直所述第一方向，其中，所述绝缘端部中至少一个完全位在所述第二位线内。

2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，各个所述绝缘端部具有一U型结构并且连接两个相邻的所述绝缘鳍片。

3.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘端部中的至少另一个完全位在所述第二位线外。

4.依据权利要求第2项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘端部中的至少另一个的所述U型结构部分延伸于所述第二位线之外。

5.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，各个所述绝缘鳍片部分重叠于所述第一位线。

6.依据权利要求第5项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘鳍片未重叠于所述第一位线的部分包括多个第一片段、多个第二片段以及多个第三片段，所述第一片段、所述第二片段以及所述第三片段在所述第二方向上分别具有第一长度、第二长度以及第三长度，其中，所述第一长度大于所述第二长度，所述第二长度大于所述第三长度。

7.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第二片段设置于所有的所述第三片段的两相对侧，所述第一片段设置于所述第二片段的外侧。

8.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第一片段直接接触部分的所述位线的端面。

9.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，更包含：

绝缘层，设置于所述衬底上，所述第一片段、所述第二片段以及所述第三片段直接接触所述绝缘层。

10.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘鳍片重叠于所述第一位线的部分在衬底的投影方向上具有第一深度，所述绝缘鳍片未重叠于所述第一位线的所述部分在所述投影方向上具有第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。

11.依据权利要求第10项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述位线包括依序堆叠的半导体层、阻障层、金属层以及盖层，所述绝缘鳍片重叠于所述第一位线的所述部分位在所述第一位线的所述盖层内。

12.依据权利要求第11项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘端部中的所述至少一个镶嵌在所述第二位线的所述盖层内。

13.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，还包括多个间隙壁，分别设置在所述位线的侧壁上，所述绝缘鳍片直接接触所述间隙壁。

14.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，还包括

多条字线，设置于所述衬底内并延伸于所述第二方向上，所述字线对位于所述绝缘结构。