[实用新型]一种易封装的硅光芯片耦合结构及硅基晶圆

权利要求书

1.一种易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：包括硅光芯片，所述硅光芯片包括功能区以及设置在功能区外围的耦合区，所述功能区上设有硅光波导，所述耦合区上设有至少一个用于放置功能元件的功能元件刻槽，所述硅光波导与功能元件刻槽之间的耦合区上设有透镜阵列刻槽或透镜刻槽，所述透镜阵列刻槽内设有硅透镜阵列，所述透镜刻槽内设有硅透镜，通过硅透镜或硅透镜阵列实现硅光波导与功能元件的耦合。

2.如权利要求1所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述功能元件包括单模光纤，所述功能元件刻槽为与单模光纤形状匹配的V型刻槽。

3.如权利要求1或2所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述功能元件还包括光源芯片，所述光源芯片所在的耦合区内依次设有透镜刻槽、隔离器刻槽和光源芯片刻槽，所述透镜刻槽内设有用于实现硅光波导与光源芯片耦合的硅透镜，所述隔离器刻槽内设有用于防止反射光影响光源芯片的激光器内部发光性能的隔离器，所述光源芯片设置在所述光源芯片刻槽内。

4.如权利要求3所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述硅光芯片上还设有电极，所述电极用于给光源芯片提供电流。

5.如权利要求3所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述透镜刻槽和透镜阵列刻槽均为深刻槽，且深刻槽的深度为100~300微米，宽度100~600微米。

6.如权利要求5所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：与所述光源芯片尺寸匹配的刻槽深度为100~300微米。

7.如权利要求5所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述深刻槽内预留对准导向槽，用于硅透镜或硅透镜阵列与硅光芯片的自动化对准。

8.如权利要求1所述的易封装的硅光芯片耦合结构，其特征在于：所述硅透镜通过氧气等离子氧化的方式或者光路胶固定在透镜刻槽内；所述硅透镜阵列通过氧气等离子氧化的方式或者光路胶固定在透镜阵列刻槽内。

9.一种硅基晶圆，其特征在于：包括晶圆基体，所述晶圆基体上设有阵列排布的多个硅光芯片，所述硅光芯片上具有权利要求1-8任一项所述的硅光芯片耦合结构。