[实用新型]一种石英坩埚

说明书

本实用新型提供一种石英坩埚，包括坩埚本体、析晶层和内涂层，析晶层设于坩埚本体的内表面上，内涂层设于析晶层上。本实用新型的有益效果是阻止石英坩埚在使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入熔硅中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶技术领域，尤其是涉及一种石英坩埚。

背景技术

在生产单晶硅的重要方法—直拉(CZ)中，石英坩埚作为一个重要的辅料，主要起到承载高温硅熔体的作用，其质量的好坏不仅影响长晶的成晶率，也影响晶体的品质。电弧法制造的石英坩埚内壁存在无相变或无高温键合的石英颗粒，运行过程掉落影响成晶。第1颗进等径高温运行时间短,未形成致密的析晶层，坩埚表面颗粒物杂质析出影响首颗整棒率。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型提供一种石英坩埚，以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种石英坩埚，包括坩埚本体、析晶层和内涂层，析晶层设于坩埚本体的内表面上，内涂层设于析晶层上。

进一步的，内涂层包括多层第一涂层，多层第一涂层沿着析晶层至坩埚本体内部方向依次设置。

进一步的，内涂层的厚度为0-0.3mm。

进一步的，第一涂层由喷涂氢氧化钡溶液形成的涂层。

进一步的，析晶层为α方石英。

进一步的，坩埚本体的外表面设有外涂层。

进一步的，外涂层的厚度为0-0.3mm。

进一步的，外涂层至少为一层。

进一步的，外涂层由喷涂含铝成核剂的溶液形成的涂层。

进一步的，铝成核剂为氢氧化铝或氧化铝。

在坩埚内表面形成析晶层，减缓熔硅对石英坩埚内表面的腐蚀，阻止石英坩埚在使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入熔硅中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率；石英坩埚内表面具有涂层，该涂层经过多次涂覆形成，使得涂层分布均匀，在石英坩埚内表面形成致密析晶层，避免石英坩埚内表面的无定型二氧化硅颗粒进入熔硅而引起断苞，提高单晶的首颗成晶率；石英坩埚外表面具有涂层，抑制石英坩埚外表面析晶，避免外表面析晶层腐蚀气泡层和析晶层而影响成晶。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的石英坩埚的结构示意图。

图中：

1、外涂层 2、气泡层 3、透明层

4、析晶层 5、内涂层

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1示出了本实用新型一实施例的结构示意图，本实施例涉及一种石英坩埚，该石英坩埚用于直拉单晶使用，该石英坩埚的内表面具有析晶层，在石英坩埚使用前内表面内涂层受热分解，形成致密的微小的方石英，形成一层析晶层，在石英坩埚进行直拉单晶时，减缓熔硅对石英坩埚内表面的腐蚀，阻止石英坩埚使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入硅溶液中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率。

一种石英坩埚，如图1所示，包括坩埚本体、析晶层4和内涂层5，析晶层4设于坩埚本体的内表面上，内涂层5设于析晶层4上，内涂层5、析晶层4与坩埚本体由内至外依次设置，析晶层4的设置，避免石英坩埚内表面的无定型二氧化硅颗粒脱落进入熔硅中而引起断苞，内涂层5的设置，进一步形成一层致密的方石英析晶层，进一步减缓熔硅对石英坩埚内表面的腐蚀，提高首颗单晶的成晶率。